杨晔
- 作品数：18 被引量：76H指数：5
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金中国人民解放军总装备部预研基金吉林省科技厅重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 808nm边发射二极管激光器特征温度被引量：3
- 2010年
- 研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的Al GaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga0.4As-1.5μm和Al0.45Ga0.55As-2μm)的808 nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器件的功率-电流特性(P-I)曲线,采用线性拟合的方法计算阈值电流,并计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果。波导层厚度变化的研究说明,当单量子阱的厚度不变时,波导层越厚,器件的特征温度越高,器件的性能也就越好。大光学腔变化的研究表明,由于Al的组分x=0.45时会产生有效的垂直光斑尺寸和更低的电阻,使得2μm-LOC结构的器件性能最好。
- 梁雪梅秦莉王烨杨晔李再金王超宁永强王立军
- 关键词：激光器半导体激光器量子阱结构
- 大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性被引量：3
- 2010年
- 针对微通道热沉封装的大功率无铝量子阱半导体激光阵列(LDA)建立三维有限元模型,模拟分析了热沉温度、工作电流以及占空比等工作条件对有源区温度的影响,并通过实验手段研究了不同工作条件下,大功率半导体激光阵列的输出特性的变化情况。结果表明,热沉温度越高、占空比越大时,器件达到稳态所需时间越长,有源区温度越高,中心波长红移越大;阈值电流越大,转换效率、斜率效率越低,输出功率越小。外推了半导体激光阵列在20℃热沉温度,20%高占空比,300 A高注入电流条件下工作的输出特性,得到输出功率超过300 W,转换效率达45%,且没有出现热饱和现象。
- 胡黎明李再金秦莉杨晔王烨刘云王冰冰王立军
- 关键词：激光器半导体激光阵列占空比有限元法大功率
- 一种单片垂直集成多波长半导体激光器及其制造方法
- 本发明公开了一种单片垂直集成多波长半导体激光器，该多波长激光器通过一次外延生长和工艺制备得到，其中激光器芯片至少包含两个基本单元，每个单元具有独立的激光器结构，相邻的上、下基本单元之间由高铝组分AlxGa1-xAs层隔开...
- 佟存柱杨晔王立军
- 文献传递
- 布拉格反射波导双光束激光器及其应用方法
- 本发明的布拉格反射波导双光束激光器，由下至上依次包括：N面电极、衬底、缓冲层、下波导层、缺陷层、上波导层、盖层和P面电极；所述缺陷层的中设有有源区；所述下波导层包括多对N型掺杂高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜...
- 汪丽杰佟存柱杨晔王立军曾玉刚张俊
- 文献传递
- 808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计被引量：1
- 2011年
- 采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。
- 杨晔刘云秦莉王烨梁雪梅李再金胡黎明史晶晶王超王立军
- 关键词：电流分布
- 850nm大功率垂直腔面发射激光器被引量：11
- 2010年
- 针对传统顶发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)的散热、电极生长以及Au丝引线等难题,研究了一种非闭合型的大功率VCSEL结构,不仅解决了上述问题,还简化了工艺步骤,避免了一些工艺对已形成器件结构造成的损伤,提高了激光器的可靠性以及电流注入效率。利用该结构制作的激光器室温下连续输出最大功率达到46 mW,激射波长为849.5 nm,激射光谱半高宽(FWHM)为0.6 nm;在150 mA的注入电流下,发散角为10°。在室温5、0μs脉冲条件下,测得的最高输出光功率为69 mW。
- 史晶晶田振华秦莉张岩王贞福梁雪梅杨晔宁永强刘云王立军
- 关键词：激光器高功率
- 850nm高亮度近衍射极限锥形半导体激光器(英文)被引量：4
- 2011年
- 制备了具有低红暴优势的850 nm大功率高亮度锥形半导体激光器,获得了近衍射极限的激光输出。当连续输出功率为200 mW时,光束质量因子M2仅为1.7,亮度高达16.3 MW.cm-2.sr-1;当功率提高到1 W时,M2因子和亮度仍分别达到2.8和9.9 MW.cm-2.sr-1。此外,研究了锥形激光器的功率、光谱、远场分布等特性,并分析了不同脊形波导长度对锥形激光器自聚焦现象的影响。
- 杨晔刘云张金龙李再金单肖楠王立军
- 关键词：高亮度
- 准连续半导体激光器的传导冷却封装优化被引量：4
- 2010年
- 为了提高准连续输出功率为×102W量级的半导体激光器的输出功率和可靠性,采用双面散热方式提高传导冷却封装的散热能力。结果表明,采用改进的封装方式后,激光器的最高输出功率由91.6 W提高到98.4W,阈值电流由15.6 A减小到15.1 A,斜率效率由1.09 W/A提高到1.16 W/A,插头效率略有增加。激光器在100 A工作电流时,有源区的温度和激光器的热阻都有所减小,说明改进的封装方式具有更好的散热性能。
- 王烨秦莉张岩李再金梁雪梅杨晔胡黎明王超姚迪尹宏贺刘云王立军
- 关键词：半导体激光器封装热阻
- 布拉格反射波导激光器的光谱特性(英文)被引量：2
- 2013年
- 设计并制备了基于双边非1/4波长布拉格反射波导的边发射半导体激光器,中心腔采用低折射率材料,在垂直方向利用布拉格反射进行光限制,实现了超大光斑尺寸且稳定单横模工作。10μm条宽、未镀膜的脊型激光器在准连续和连续工作方式下的总的输出功率分别超过了170 mW和80 mW,且最高功率受热扰动限制。激光器远场图案在垂直方向为双瓣状,单瓣垂直方向和水平方向发散角分别低至7.85°和6.7°。激射谱半高全宽仅为0.052 nm,光谱包络存在周期性调制现象,模式间隔约为3.3 nm。电流增加到300 mA以上时,激光器出现模式跳变。
- 汪丽杰佟存柱杨晔曾玉刚宁永强秦莉刘云王立军
- 关键词：半导体激光器
- 低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列
- 低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，属于半导体激光器领域，为了降低纵向和横向发散角，以改善激光器的光束质量，获得高亮度激光输出，本发明设计了低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列，该阵列纵向结构从下至上依次为：N...
- 杨晔佟存柱汪丽杰王立军曾玉刚刘云
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