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李河

作品数:3 被引量:5H指数:2
供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金教育部“新世纪优秀人才支持计划”湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇第一性原理
  • 2篇第一性原理研...
  • 2篇电子结构
  • 2篇氧化锌
  • 2篇子结构
  • 1篇性能表征
  • 1篇梯度掺杂
  • 1篇晶体
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇SOL-GE...
  • 1篇ZNO晶体
  • 1篇AZO
  • 1篇AZO薄膜
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇武汉理工大学

作者

  • 3篇李河
  • 2篇周建
  • 2篇刘桂珍
  • 1篇王琳
  • 1篇王德义
  • 1篇谢岩

传媒

  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇西南科技大学...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
ZnO电子结构与基本属性的第一性原理研究
氧化锌(ZnO)是一种具有多种性能的直接宽禁带半导体材料,这种材料的结构和性能具有很强的设计性。本文采用第一性原理的方法对ZnO的本征缺陷、组成掺杂以及外力对其电子结构和光学性能的影响等进行了研究,并通过比较分析,寻求其...
李河
关键词:氧化锌第一性原理电子结构光学性能
文献传递
第一性原理研究C对ZnO晶体和电子结构的影响被引量:2
2012年
基于实际研究中较少关注的C杂质对ZnO中的影响,通过第一性原理研究了ZnO中非故意掺杂的C杂质对其晶体结构和电子结构的影响,结果发现:C易引起ZnO晶格畸变,造成化合键断裂的现象。CZn与其周围的O在高能位易发生氧化还原反应,产生CO2,引起VO缺陷;低能位的CZn能存在ZnO晶格之中,产生一个新的施主能级,导电性呈现n型,对p型掺杂能产生强烈的补偿作用,不利提高材料的p型导电性能。
王琳李河刘桂珍周建
关键词:第一性原理氧化锌掺杂
梯度掺杂AZO薄膜的制备及其性能表征被引量:2
2010年
采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究。结果表明,梯度掺杂的AZO薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%(原子数百分比)的薄膜具有更明显的c轴择优取向,更强的本征紫外发光峰和近紫外发光峰。当薄膜的退火温度在500~650℃区间时,薄膜电阻率稳定在10-2Ω.cm,高于700℃时,薄膜电阻率明显升高。
周建谢岩王德义刘桂珍李河
关键词:AZO薄膜梯度掺杂SOL-GEL法
共1页<1>
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