包西昌
- 作品数：15 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法
- 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电...
- 李天信殷豪夏辉陆卫包西昌胡伟达李宁李志峰陈效双李向阳
- 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法
- 本专利公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AlN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15...
- 储开慧许金通包西昌李向阳戴江陈长清
- 文献传递
- 背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法
- 本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>N(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n...
- 包西昌张文静许金通王玲李超储开慧王妮丽张燕李向阳
- 文献传递
- 日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
- 2010年
- 对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。
- 包西昌李超张文静王玲李向阳
- 关键词：ALGAN电容特性
- 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器
- 本发明公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该晶片包含双面精抛处理且长阳极氧化膜，的碲镉汞晶片，其中与环氧...
- 包西昌朱龙源李向阳兰添翼赵水平王妮丽刘诗嘉
- GaN基紫外数字像素光电传感器设计与实现
- 2010年
- 介绍了一种为了获得高速高性能的GaN基紫外数字像素光电传感器的设计和实现。该传感器每个像素单元面积为50μm×50μm,包含一个UV光电探测器,一个1位比较器和一个3 T的存储单元,能同时完成对所有像素的A/D转换。像素内比较器电路中引入了一个自动复位电路用以实现数字相关双采样功能,并可以增加峰值信噪比以及动态范围。电路采用CSMC DPTM 0.5μm CMOS工艺流片实现,初步的功能实验结果验证这一数字传感器能正常工作。
- 张文静包西昌王玲袁永刚李向阳
- 关键词：GAN基紫外探测器模数转换比较器
- 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法
- 本发明公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15...
- 储开慧许金通包西昌李向阳戴江陈长清
- 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法
- 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探测器内部被放大的目的...
- 王玲许金通袁永刚包西昌张文静李超张燕李向阳
- 文献传递
- 平面型GaN p-n结探测器的制备与性能
- 2011年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了p-GaN单晶薄膜.高温(>1100℃)处理及未处理样品的双晶摇摆曲线测试表明高于1150℃会使材料的晶体质量明显变差,这为平面型紫外探测器制备中的部分注入激活条件提供了选择依据.通过TRIM软件优化了注入条件,在选择性注入改型材料上成功制备了平面GaN p-n结型光电探测器.测试结果表明:室温下的零偏压暗电流密度为4.7 nA/cm2,而-5 V偏压下的暗电流密度则达到了67μA/cm2.室温下的峰值响应率0.065 A/W出现在368 nm处.在低温下器件的峰值响应明显降低,80 K时,360 nm处的峰值响应率仅为0.039 A/W.禁带宽度、串联电阻、内建电场等是引起探测器响应率随温度降低的原因.
- 包西昌张文静刘诗嘉李超李向阳
- 关键词：GAN离子注入电流特性
- 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器
- 本专利公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该碲镉汞晶片双面精抛处理且长有阳极氧化膜，其中与环氧树脂胶接触...
- 包西昌朱龙源李向阳兰添翼赵水平王妮丽刘诗嘉
- 文献传递
