祁菁
- 作品数：7 被引量：23H指数：3
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划教育部重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- H_2对Ar稀释SiH_4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响被引量：3
- 2006年
- 以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、抗杂质污染等特性.
- 祁菁金晶胡海龙高平奇袁保和贺德衍
- 电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化被引量：5
- 2005年
- 利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等 .结果表明 ,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高 ,而且具有良好的 ( 111)结晶取向性 ,晶粒尺寸大于30 0nm ,样品中无Al的残留 .结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理 .
- 王晓强栗军帅陈强祁菁尹旻贺德衍
- 关键词：电感耦合等离子体X射线光电子谱硅薄膜电子密度
- PTCDA/P-Si光电探测器的研制
- 利用1.8萘二甲酸酐作为原料制备井提纯了有机半导体材料PTCDA。通过质谱、核磁共振谱、X射线谱及可见光吸收谱，对这种材料的结构表征和光吸收特性进行了深入研究。在此基础上研究试制出了有机／无机同型异质结PTCDA/P-S...
- 张福甲王德明张杰祁菁
- 关键词：光电探测器光吸收质谱红外光谱核磁共振谱
- 文献传递
- ZnO基阻变存储器
- 本文系统的进行了Zn0纳米薄膜、纳米线、纳米岛阻变存储特性的研究工作。通过进行试验分析，采用Zn0纳米材料制备存储器，可实现各种存储功能，并有望将器件尺寸缩小到5nm以下。
- 祁菁
- 关键词：性能表征
- 文献传递
- MgO层对ZnO基存储器存储特性的影响
- 阻变存储器(RRAM)和单次写入多次读出存储器(WORM)因其具有结构简单、存储单元小、易于集成,存储数据非易失等特点,极有希望替代目前流行的存储器而备受关注.
- 祁菁
- Al诱导a-Si:H薄膜的晶化被引量：11
- 2005年
- 采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)结晶取向的多晶Si薄膜。X射线光电子能谱分析表明 ,热处理过程中Al向Si薄膜表面的扩散降低了Si的成核温度。
- 祁菁金晶胡海龙贺德衍
- 关键词：A-SI:H薄膜SI衬底非晶硅等离子体化学气相沉积晶化成核
- 在AAO衬底上制备纳米Si阵列研究被引量：5
- 2007年
- 用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝(AAO)上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构,用X射线衍射谱仪分析了样品的结晶状况．样品呈现出良好的场电子发射稳定性,开启电场为7 V/μm．
- 胡海龙彭尚龙唐泽国祁菁贺德衍
- 关键词：PECVD
