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查冬

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 7篇晶圆
  • 6篇原状
  • 6篇圆片
  • 6篇晶圆片
  • 4篇退火
  • 3篇绝缘层
  • 2篇电学性能
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇应变量
  • 2篇势垒
  • 2篇退火炉
  • 2篇退火温度
  • 2篇阈值电压
  • 2篇阈值电压模型
  • 2篇温度
  • 2篇温度范围
  • 2篇绝缘
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应

机构

  • 12篇西安电子科技...

作者

  • 12篇查冬
  • 11篇戴显英
  • 10篇郝跃
  • 9篇张鹤鸣
  • 7篇王晓晨
  • 6篇付毅初
  • 5篇李志
  • 5篇王琳
  • 4篇杨程
  • 4篇王琳
  • 4篇宁静
  • 2篇李志
  • 2篇楚亚萍
  • 2篇孙腾达
  • 2篇郑若川
  • 2篇董洁琼
  • 2篇文耀民
  • 1篇宋建军
  • 1篇郭静静
  • 1篇邵晨峰

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2012
  • 4篇2011
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆...
戴显英张鹤鸣郝跃王琳宁静李志王晓晨查冬付毅初
文献传递
基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm；3...
戴显英王琳张鹤鸣董洁琼文耀民查冬宁静郝跃
文献传递
Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度小于200mm时，阈值电压受沟道长度、虚拟衬...
李志戴显英查冬王晓晨王琳付毅初宁静杨程郑若川
关键词：短沟道效应阈值电压
一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)...
郝跃查冬戴显英楚亚萍孙腾达杨程张鹤鸣
文献传递
基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm；3...
王琳戴显英张鹤鸣董洁琼文耀民查冬宁静郝跃
高K栅介质Ge MOS电容特性与制备研究
在集成电路集成度不断提高，器件尺寸已经进入纳米尺度并且还在不断缩小的发展趋势下，使用传统的Si//SiO2//多晶硅结构会因为过薄的SiO2栅介质层而导致直接隧穿电流的急剧增大，从而使整个MOSFET功能失效。而采用高K...
查冬
文献传递
晶圆级单轴应变SOI研究
将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅，其拉曼频移差为-0.3cm...
戴显英付毅初杨程郑若川王琳张鹤鸣郝跃王宗伟宁静王晓晨查冬李志
关键词：集成电路弹塑性力学
一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
本发明公开了一种基于SiN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)...
郝跃查冬戴显英楚亚萍孙腾达杨程张鹤鸣
文献传递
机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种机械致单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆...
戴显英张鹤鸣郝跃王琳宁静李志王晓晨查冬付毅初
表面Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
2012年
基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论,通过求解泊松方程,建立了表面Ge沟道pMOSFET的阈值电压模型.基于该模型对表面Ge沟道MOSFET器件的沟道长度、栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、SiGe虚拟衬底中的Ge含量等结构参数以及漏源电压对阈值电压的影响进行了模型模拟分析.模拟结果表明,当沟道长度小于200nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压影响较大,而当沟道长度超过500nm时,短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响可以忽略.模型计算结果与实验结果吻合较好.
戴显英李志张鹤鸣郝跃王琳查冬王晓晨付毅初
关键词：阈值电压模型短沟道效应
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共2页<12>
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