公共文化服务平台

共 9 条记录，以下是 1-9

全选清除导出

排序方式：

低压化学气相沉积生长双层石墨烯及其电输运特性研究被引量：2: 2013年; 采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯。XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长。拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构。通过转移、刻蚀等工艺制备了石墨烯场效应晶体管(G-FET)原型器件,其转移特性曲线(IDS-VGS)表明所制备的石墨烯表现为p型输运特性。在器件中石墨烯的XPS图谱说明了石墨烯吸附有有机物基团,导致p型特性的部分原因。同时本文研究了真空退火对G-FET器件性能的影响,结果表明:退火温度为200℃时,G-FET的空穴载流子迁移率最佳;而随着温度增加,开关比(ON-OFF ratio)在不断减小,载流子迁移率迅速在降低。; 曾亭吴革明赵鸿滨杨萌萌魏峰杜军; 关键词：RAMAN光谱退火输运特性

一种非晶高k栅介质堆栈及其制备方法: 本发明提供一种非晶高k栅介质堆栈及其制备方法。该栅介质堆栈包括单晶硅基片、采用磁控共溅射法在该单晶硅基片上沉积的非晶CeO2-HfO2薄膜、以及采用磁控溅射法或热蒸发沉积法沉积...; 屠海令杨萌萌杜军; 文献传递

一种具有更高介电常数的MOS结构及其制备方法: 本发明提供一种具有更高介电常数的MOS结构及其制备方法。该MOS结构包括半导体衬底、在半导体上沉积的栅介质薄膜、以及采用物理气相沉积法沉积的金属栅电极，其中的栅介质薄膜为铪基多元氧化物HfLaTiOx</Sub...; 屠海令杨萌萌杜军熊玉华魏峰; 文献传递

铪基高K及更高K氧化物在Si及InP上的沉积和性能研究: 随着CMOS集成电路的快速发展,传统的SiO2栅介质不适用于集成电路继续发展的需要,需要采用高介电常数栅介质薄膜作为替代材料。但是采用高k材料作为栅介质后,高k材料中高的缺陷态密度、高k材料与衬底之间的界面层以及高k材料...; 杨萌萌; 关键词：高K栅介质磁控溅射 SI INP MOS结构; 文献传递

Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析: 2012年; 以Gd2O3-HfO2(GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为"cube-on-cube",GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110]GDH∥[110]Ge。通过反射式高能电子衍射(RHEED)技术研究了激光烧蚀能量和薄膜沉积温度对薄膜晶体结构的影响,分析了二者与薄膜的取向关系,激光烧蚀能量对薄膜取向影响更为显著。得到较优的GDH外延薄膜沉积工艺为:激光烧蚀能量为3 J·cm-2、薄膜的沉积温度为600℃。用磁控溅射制备了Au/Ti顶电极和Al背电极,其中圆形的Au/Ti电极通过掩膜方法获得,直径为50μm。采用Keithley 4200半导体测试仪对所制备Au/Ti/GDH/Ge/Al堆栈结构的Ge-MOS原型电容器进行电学特性分析,测试条件为:I-E测试的电场强度0～6 MV·cm-1,C-V测试的频率300 kHz～1 MHz,结果表明,厚度为5 nm的GDH薄膜具备良好介电性能:k～28,EOT～0.49 nm,适于22 nm及以下技术节点集成电路的应用。; 张心强屠海令杜军杨萌萌赵鸿滨杨志民; 关键词：GD2O3 HFO2

CeO2的掺杂对HfO2栅介质电学特性的影响: ＜正＞本文研究了p-Si（100）衬底上磁控溅射法沉积的CeO2-HfO2栅介质薄膜的漏电流及电容特性,并将其与纯HfO2栅介质薄膜进行了比较。结果证明,相对HfO2薄膜,掺杂了CeO2的薄膜的漏电流降低,电容值增大。同...; 杨萌萌屠海令杜军; 文献传递

Al_2O_3界面钝化与热处理对Gd_2O_3-HfO_2高k薄膜电性能影响: 2012年; 采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2(GDH)高k薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层。结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移。高温N2退火对堆栈层电学性能影响明显:随着温度的增加,界面性能逐步改善,退火温度为900℃时,回滞窗口小于20 mV,积累区趋势平缓并且单位面积电容值增大,薄膜介电常数为20。; 郭亿文张心强熊玉华杜军杨萌萌赵鸿滨; 关键词：AL2O3 快速退火

CeO_2掺杂对HfO_2栅介质电学特性的影响被引量：6: 2012年; 采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征。结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位生成能增大,氧空位数目减少,漏电流较纯HfO2下降了一个数量级,满足作为高k材料的要求。; 杨萌萌屠海令张心强熊玉华王小娜杜军; 关键词：CEO2 HFO2 掺杂

一种InP/高κ栅介质堆栈结构及其制备方法: 本发明提供一种InP/高κ栅介质堆栈结构及其制备方法。该栅介质堆栈结构包括InP基片、在该InP基片上沉积的非晶HfO2-Gd2O3薄膜、以及采用物理气相...; 屠海令杨萌萌杜军魏峰熊玉华张心强; 文献传递

全选清除导出

共1页<1>

杨萌萌