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常建

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:华南理工大学电子与信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子发射
  • 1篇性能分析
  • 1篇人口迁移算法
  • 1篇搜索
  • 1篇全局优化
  • 1篇摩擦起电
  • 1篇静电放电
  • 1篇聚类
  • 1篇抗静电
  • 1篇抗静电性
  • 1篇抗静电性能
  • 1篇混沌
  • 1篇混沌搜索
  • 1篇二次电子
  • 1篇二次电子发射
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件

机构

  • 3篇华南理工大学

作者

  • 3篇常天海
  • 3篇常建
  • 1篇邹洪
  • 1篇马威

传媒

  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇计算机应用研...

年份

  • 3篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于均匀布点的混沌人口迁移算法及应用
2011年
人口迁移算法是近几年提出的一种新的全局优化搜索算法。引入均匀布点和混沌搜索算法,对基本的人口迁移算法进行了改进,提出了基于均匀布点的混沌人口迁移算法,并应用于聚类分析。通过二维随机数据实验和Iris数据集实验,对改进算法的有效性进行了验证。结果表明,改进的人口迁移算法能有效地避免陷入局部最优,具有更强的寻优能力,而且收敛速度更快。
常天海邹洪常建
关键词:全局优化人口迁移算法混沌搜索聚类
半导体器件的抗静电性能分析
本文总结了半导体静电损伤的原理和防护技巧。静电放电对半导体器件的危害广泛而深刻,其失效机理原因各异。还必须进一步加强对半导体器件的静电防护理论研究,用新的理论有效地指导实践,不断提高半导体元器件的抗END能力。
常天海常建
关键词:半导体器件静电放电抗静电性能
二次电子发射特性与固体材料摩擦起电的关系被引量:3
2011年
为了探索二次电子发射特性与固体材料摩擦起电的关系,参考了国内外有关标准和资料公布的静电序列,重点考虑固体材料的二次电子发射特性,选取位于静电序列靠后位置的聚四氟乙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)和A3碳钢等固体材料,进行了摩擦起电实验,从摩擦速度、摩擦力与静电起电过程中原入射粒子能量的关联方面,分析了固体材料在与A3碳钢摩擦后,其表面静电电位有时为正值的现象.实验结果表明,该现象正是由于固体材料本身的二次电子发射特性所造成的,说明了二次电子发射特性与固体材料静电起电过程之间较强的关联效应.
常天海马威常建
关键词:二次电子发射
共1页<1>
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