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文献类型

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领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇共面
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  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇集成电感
  • 1篇集成电路
  • 1篇SOI
  • 1篇CMOS
  • 1篇MMIC
  • 1篇传输线

机构

  • 2篇电子科技大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇单伟国
  • 1篇杨中海
  • 1篇孙晓玮
  • 1篇骆苏华
  • 1篇李凌云

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
不同材料上共面波导线的损耗研究被引量:2
2006年
研究不同衬底材料上共面波导(CPW)线的损耗特性。实验结果表明,采用低阻SOI(20Ω·cm)作衬底制作的共面波导线的损耗比在低阻硅(20Ω·cm)上制作的有明显减少;而采用低阻硅,并沉积1μmSiO2作衬底的CPW线损耗大大降低。采用高阻SOI(1000Ω·cm)制备的CPW线在2GHz损耗仅为0.13dB/mm;通过在低阻硅上采用地屏蔽技术也可以有效地改善传输线的损耗特性,在整个频段内的损耗可与高阻SOI硅衬底上相比拟。
单伟国骆苏华杨中海李凌云孙晓玮
关键词:共面波导传输线绝缘体上硅
Si/SOI MMIC无源器件研究
随着微波通讯技术的迅速发展,人们对通讯设备的要求也越来越高。体积小,重量轻,可靠性高,稳定性好等优点使得微波单片集成电路(MMIC)在微波通讯领域逐渐取代了传统的波导系统和混合集成电路。最近几年,深亚微米CMOS工艺逐渐...
单伟国
关键词:微波单片集成电路CMOSSOI共面波导集成电感
文献传递
共1页<1>
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