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闫齐齐

作品数:3 被引量:5H指数:1
供职机构:天津理工大学材料物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇有机场效应晶...
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇电池
  • 1篇修饰
  • 1篇有机太阳能电...
  • 1篇衰变
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇迁移率
  • 1篇纳米
  • 1篇光电
  • 1篇光电转换
  • 1篇C60
  • 1篇并五苯
  • 1篇场效应迁移率

机构

  • 3篇天津理工大学

作者

  • 3篇闫齐齐
  • 2篇印寿根
  • 1篇田海军
  • 1篇赵赓
  • 1篇曾宪顺
  • 1篇程晓曼
  • 1篇姜春霞
  • 1篇郑宏
  • 1篇邓家春
  • 1篇戚辉
  • 1篇张达
  • 1篇刘爱华

传媒

  • 2篇光电子.激光

年份

  • 3篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
利用表面等离子体增强有机太阳能电池性能的研究
聚合物本体异质结太阳能电池(BHJ)由于具有成本低、绿色环保等优点对大规模利用太阳能,提供廉价电能具有重要的意义。但有机光伏材料较低的吸收系数及较弱的激子扩散能力,造成了有机太阳能电池最佳吸收厚度与激子扩散长度的不协调,...
闫齐齐
关键词:太阳能电池光电转换等离子体
文献传递
有机场效应晶体管输出特性的衰变与恢复被引量:1
2011年
制作了以并五苯作为有源层的有机场效应晶体管(OFETs)。实验观察表明,在原位条件下,器件有很好的输出特性曲线;但在空气中放置3个月后,输出特性曲线明显衰退,并且关态电流增大;为恢复器件性能,在真空条件下,对器件进行加热处理。实验结果表明,经过热处理的晶体管输出特性极大改善。因此,真空热处理可以使衰退器件的输出特性得到恢复。
戚辉刘爱华姜春霞闫齐齐张达曾宪顺邓家春印寿根
关键词:并五苯衰变
C60场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究被引量:4
2011年
以重掺杂Si片作为衬底,SiO2/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为双栅绝缘层,C60为有源层,制备了不同修饰层的有机场效应晶体管(OFETs);研究了不同修饰层的器件对于场效应性能的影响。实验表明,与未加修饰层的器件相比,经过修饰的器件性能有一定的提高,其中Alq3/LiF双修饰层器件的场效应迁移率达到最大,为1.6×10-2 cm2/V.s。根据热动力学反应关系分析表明,Alq3/LiF间的协同作用导致电极和有源层的接触势垒降低是器件性能提高的原因。
郑宏程晓曼闫齐齐田海军赵赓印寿根
关键词:场效应迁移率
共1页<1>
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