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王君杰

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇电阻开关
  • 1篇性能评价
  • 1篇膜厚
  • 1篇溅射
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇薄膜厚度
  • 1篇BI
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇RERAM

机构

  • 2篇杭州电子科技...
  • 1篇浙江大学

作者

  • 2篇王君杰
  • 1篇毛启楠
  • 1篇季振国
  • 1篇席俊华

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于Bi2O3薄膜的ReRAM及其电阻开关特性研究
如今，存储器已经非常广泛地应用于各种电子产品中，并在我们的工作和生活中扮演着越来越重要的角色。随着电子技术与集成电路的飞速发展，对存储器的性能也提出了更高的要求，如高速度、高密度、长寿命、低功耗、非挥发性和更小的尺寸等。...
王君杰
关键词：磁控溅射工艺参数性能评价
文献传递
Bi_2O_3薄膜的制备及其电阻开关特性的研究被引量：3
2012年
电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一.实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜,并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究.XRD分析结果表明,射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3薄膜结晶性能好,(201)取向明显.I-V曲线测试结果表明,Au/Bi2O3/n+Si/Al结构具有单极性电阻开关特性.通过对不同厚度Bi2O3薄膜的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构I-V特性比较发现,随着薄膜厚度的增加,电阻开关的Forming、Set和Reset阈值电压均随之增加.对于Bi2O3薄膜厚度为31.2 nm的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构,其Forming、Set和Reset阈值电压均低于4 V,符合存储器低电压工作的要求.
季振国王君杰毛启楠席俊华
关键词：薄膜厚度
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