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林彦旭

作品数:17 被引量:1H指数:1
供职机构:厦门大学更多>>
相关领域:化学工程电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇工业硅
  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 6篇提纯
  • 5篇
  • 5篇
  • 4篇提纯方法
  • 4篇坩埚
  • 2篇低温电解
  • 2篇低温电解质
  • 2篇电解
  • 2篇电解温度
  • 2篇电源
  • 2篇定向凝固
  • 2篇多晶硅材料
  • 2篇阳极
  • 2篇氧化铝
  • 2篇氧化铝陶瓷
  • 2篇渣料
  • 2篇渣系

机构

  • 17篇厦门大学

作者

  • 17篇林彦旭
  • 16篇李锦堂
  • 16篇罗学涛
  • 14篇卢成浩
  • 14篇余德钦
  • 10篇方明
  • 4篇傅翠梨
  • 2篇蔡靖
  • 1篇吴浩

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种采用硅铁合金定向凝固提纯多晶硅的方法
一种采用硅铁合金定向凝固提纯多晶硅的方法,涉及一种多晶硅的提纯方法。将工业硅粉放入盐酸中浸泡,然后用去离子水冲洗;将硅粉和铁粉放入石墨坩埚,再将石墨坩埚放入定向凝固炉中,关闭炉盖,抽真空至10Pa以下,通入氩气;打开感应...
罗学涛林彦旭余德钦方明卢成浩李锦堂
文献传递
一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法
一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法,涉及多晶硅的提纯方法。将装有工业硅和工业铁粉的石墨坩埚放入感应熔炼炉中加热,通入氩气;将感应熔炼炉升温至1550~1620℃,保温3~5h;将经过保温的合金降温至1220~1270℃,...
罗学涛林彦旭余德钦李锦堂方明卢成浩
文献传递
一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法
一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法,涉及一种陶瓷发热元件的制备方法。提供在可解决水系流延成型过程中溶剂(水)对粉料的湿润性较差、浆料除泡困难、挥发慢和干燥时间长,以及烧结后陶瓷与金属层结合力差等问题,能显著提高烧结合格...
罗学涛林彦旭李锦堂傅翠梨
文献传递
一种去除工业硅中硼磷杂质的方法
一种去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及一种工业硅的提纯方法。1)将渣料2预熔,渣料2为CaO-CaSi<Sub>2</Sub>;2)将渣料1压成渣球,将部分渣料1和工业硅放进坩埚,抽真空,开启中频感应电源加热使物料熔化,渣...
罗学涛余德钦林彦旭方明卢成浩李锦堂
文献传递
一种利用分光光度计测定高岭土中铁含量的方法
一种利用分光光度计测定高岭土中铁含量的方法,涉及一种无机矿物中铁含量的测定方法。提供一种操作简单方便、快速准确的利用分光光度计测定高岭土中铁含量的方法。试样用氢氧化钠高温熔融,盐酸酸化后,配成样液;将六水合硫酸亚铁铵置于...
罗学涛傅翠梨李锦堂余德钦林彦旭卢成浩
文献传递
一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法
一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及工业硅的提纯方法。将工业硅加入石墨坩埚中;启动中频感应电源加热,按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中;待物料熔化后,维持功率不变,反应温度控制在1600~1800℃,使...
罗学涛余德钦林彦旭方明卢成浩李锦堂
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一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法
一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法,涉及多晶硅的提纯方法。将装有工业硅和工业铁粉的石墨坩埚放入感应熔炼炉中加热,通入氩气;将感应熔炼炉升温至1550~1620℃,保温3~5h;将经过保温的合金降温至1220~1270℃,...
罗学涛林彦旭余德钦李锦堂方明卢成浩
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一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法
一种含钨氧化铝陶瓷发热基板的制备方法,涉及一种陶瓷发热元件的制备方法。提供在可解决水系流延成型过程中溶剂(水)对粉料的湿润性较差、浆料除泡困难、挥发慢和干燥时间长,以及烧结后陶瓷与金属层结合力差等问题,能显著提高烧结合格...
罗学涛林彦旭李锦堂傅翠梨
造渣及真空精炼对工业硅中关键杂质的影响规律研究
造渣精炼和真空熔炼作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的基本工艺,是去除工业硅中磷硼杂质和主要金属杂质的有效方法。由于磷硼杂质的化学特性不同,单个工艺不能同时有效地去除磷和硼。因此,必须将两种工艺加以组合优化以达到太阳能级多晶硅...
林彦旭
关键词:工业硅工艺参数
一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法
一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及工业硅的提纯方法。将工业硅加入石墨坩埚中;启动中频感应电源加热,按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中;待物料熔化后,维持功率不变,反应温度控制在1600~1800℃,使...
罗学涛余德钦林彦旭方明卢成浩李锦堂
文献传递
共2页<12>
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