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张泽洪

作品数：28 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家电网公司科技项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生文化科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇石墨
  • 7篇气相沉积
  • 6篇工件
  • 5篇碳化硅
  • 5篇高温
  • 4篇受热
  • 4篇盘类零件
  • 4篇气体
  • 4篇切换
  • 4篇热传递
  • 4篇自转
  • 4篇均匀性
  • 4篇供气
  • 4篇反应气体
  • 4篇CVD设备
  • 4篇衬底
  • 4篇成膜
  • 3篇石墨烯
  • 3篇晶体
  • 3篇掺杂

机构

  • 28篇中国科学院
  • 2篇全球能源互联...
  • 1篇上海大学

作者

  • 28篇张泽洪
  • 26篇张宝顺
  • 26篇张立国
  • 25篇范亚明
  • 24篇鞠涛
  • 15篇李哲
  • 8篇崔志国
  • 2篇王劼
  • 2篇张学敏
  • 1篇秦娟
  • 1篇钮应喜
  • 1篇张学敏
  • 1篇杨霏

传媒

  • 2篇智能电网
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 8篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
圆盘类零件一次性全表面沉积用工件驱动装置及气相沉积炉
本发明揭示了圆盘类零件一次性全表面沉积用工件驱动装置及气相沉积炉，包括至少一对配合支撑工件并驱动工件绕其中心轴自转的第一转盘和第二转盘，所述第一转盘和第二转盘绕各自的中心轴自转，并持续改变与工件的接触位置。本发明设计精巧...
崔志国鞠涛张立国范亚明张泽洪张宝顺
文献传递
Ti,N共掺杂4H-SiC复合增强缓冲层生长及其对PiN二极管正向性能稳定性的改善
2021年
"双极型退化"现象严重阻碍了4H-SiC双极型器件如PiN二极管等的产品化,其微观机理是电子-空穴复合条件下层错由基面位错处的扩展.为遏制"双极型退化"现象,不仅要消除漂移层中的基面位错,还需要通过生长复合增强缓冲层的方法阻止少子空穴到达含高密度基面位错片段的外延层/衬底界面.本文采用钛、氮共掺杂的方式进行缓冲层的生长,通过钛掺杂进一步降低缓冲层中的少子寿命.首先确定了钛掺杂浓度和钛源摩尔流量之间的定量关系,在此基础上制备了含钛、氮共掺杂缓冲层结构的4H-SiC PiN二极管,并在正向电流密度100 A/cm^2的条件下保持10 min,测量其正向压降随时间的变化.与无缓冲层结构、仅含高浓度氮掺杂缓冲层结构的4H-SiC PiN二极管相比,含钛、氮共掺杂缓冲层的二极管的正向压降稳定性得到了明显改善.
李传纲鞠涛张立国李杨张璇秦娟张宝顺张泽洪
关键词：4H-SIC
掺杂源供应管路及化学气相沉积系统
本发明揭示了掺杂源供应管路及化学气相沉积系统，掺杂源供应管路包括载气源以及用于盛装有机金属源的水浴系统，还包括载气输送管路，连接所述载气和水浴系统，以将载气通入到有机金属源内；有机金属源气体输送管路，使水浴系统与反应腔及...
鞠涛张立国李哲范亚明张泽洪张宝顺
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圆盘类零件一次性全表面气相沉积炉
本发明揭示了圆盘类零件一次性全表面气相沉积炉，包括真空室，还包括工件驱动组件，支撑并驱动至少一个工件绕工件的中心轴自转并持续切换与工件的接触位置；以及，加热组件，从工件驱动组件上的每个工件的两个侧面同时对工件进行加热。本...
鞠涛崔志国张立国范亚明张泽洪张宝顺
一种用于高温晶体生长的气体花洒装置
本发明涉及一种用于高温晶体生长的气体花洒装置，包括：基座；若干喷管，所述若干喷管沿所述基座的轴向延伸并与所述基座气体连通；至少一层隔板，所述隔板上开设有与所述若干喷管对应的若干通孔5，所述隔板通过所述通孔5套设在所述喷管...
鞠涛张立国李哲范亚明张泽洪张宝顺
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一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法
本发明涉及一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法，包括：喷头，以及位于喷头下方的衬底托，所述喷头和所述衬底托均采用石墨材料制成，所述喷头上方连通进气通道，所述喷头的至少部分在沿所述进气通道的进气方向上具有逐渐扩...
鞠涛张立国李哲范亚明张泽洪张宝顺
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圆盘类零件一次性全表面沉积用工件驱动装置及气相沉积炉
本发明揭示了圆盘类零件一次性全表面沉积用工件驱动装置及气相沉积炉，包括至少一对配合支撑工件并驱动工件绕其中心轴自转的第一转盘和第二转盘，所述第一转盘和第二转盘绕各自的中心轴自转，并持续改变与工件的接触位置。本发明设计精巧...
崔志国鞠涛张立国范亚明张泽洪张宝顺
文献传递
一种外延碳化硅‑石墨烯复合薄膜的制备方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种外延生长碳化硅‑石墨烯复合薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将预处理后的基底置于化学气相沉积腔体中，控制所述气相沉积腔体绝对真空度高于10<Sup>‑4</Sup>帕，1500～1600...
张学敏张泽洪张宝顺
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一种外延碳化硅-石墨烯复合薄膜的制备方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种外延生长碳化硅-石墨烯复合薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将预处理后的基底置于化学气相沉积腔体中，控制所述气相沉积腔体绝对真空度高于10<Sup>-4</Sup>帕，1500～1600...
张学敏张泽洪张宝顺
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一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法
本发明涉及一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法，包括：喷头，以及位于喷头下方的衬底托，所述喷头和所述衬底托均采用石墨材料制成，所述喷头上方连通进气通道，所述喷头的至少部分在沿所述进气通道的进气方向上具有逐渐扩...
鞠涛张立国李哲范亚明张泽洪张宝顺
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