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姜春宇
作品数:
14
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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北京市自然科学基金
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相关领域:
自动化与计算机技术
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合作作者
王逸群
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
张宝顺
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
王德稳
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
曾中明
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
吴东岷
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法
本发明涉及MEMS器件制造领域,具体公开一种晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔封装方法,包括步骤:S1通过阳极键合,将第一键合玻璃与带有通孔的硅晶圆的一侧表面键合,使得通孔形成各自独立的预成型腔;S2在部分预成型腔中,置入碱金属...
王逸群
姜春宇
付思齐
林文魁
王德稳
张宝顺
文献传递
三维磁源反演装置及系统
本发明揭示了一种三维磁源反演装置及系统,包括:磁屏蔽桶、激励线圈、补偿线圈、支撑杆、若干磁性探测器及移动台。其中,激励线圈,沿磁屏蔽桶轴向固定安装于磁屏蔽桶中,用于产生位于激励线圈内部空间的激励磁场和位于激励线圈外部空间...
吴东岷
刘宇
荀宇洁
王逸群
姜春宇
曾中明
张宝顺
原子腔结构及其制作方法
本发明公开了一种原子腔结构,所述原子腔结构包括:基片,具有封闭的腔;至少三组反射结构,所述反射结构设置于所述腔的内壁上,所述反射结构至少用于对射入所述腔内的相应的第一光线进行反射,从而使所有的所述第一光线与射入所述腔内的...
姜春宇
王逸群
张宝顺
翟豪
原子腔结构及其制作方法
本发明公开了一种原子腔结构,所述原子腔结构包括:基片,具有封闭的腔;至少三组反射结构,所述反射结构设置于所述腔的内壁上,所述反射结构至少用于对射入所述腔内的相应的第一光线进行反射,从而使所有的所述第一光线与射入所述腔内的...
姜春宇
王逸群
张宝顺
翟豪
一种原子气室及其制作方法
提供了一种原子气室及其制作方法,所述原子气室包括第一玻璃片、第二玻璃片和硅晶圆,硅晶圆具有贯穿其彼此相对的第一硅晶圆表面和第二硅晶圆表面的通孔;第一玻璃片覆盖于第一硅晶圆表面上,且第二玻璃片覆盖于第二硅晶圆表面上,以使通...
翟豪
王逸群
张宝顺
姜春宇
基于金刚石的氮空位色心的集成化磁力计设备
本发明公开了一种基于金刚石的氮空位色心的集成化磁力计设备。该集成化磁力计设备包括激光光源系统、微波产生装置、光电探测装置和具有氮空位色心的金刚石单元,所述激光光源系统的封装壳体上开设有通光孔,所述通光孔用于通过所述封装壳...
张伟
姜春宇
王逸群
张宝顺
杨辉
一种用于多孔吸附装置上的样品承载结构
本发明公开了一种用于多孔吸附装置上的样品承载结构,包括载板,载板包括彼此相对的承载面和结合面,承载面上设置有第一凹槽,第一凹槽的外侧设置有第一吸孔,结合面上设置有第二凹槽,第二凹槽与第一吸孔相互连通;其中,第二凹槽用于覆...
姜春宇
王逸群
尹立航
夏先海
董艳
翟豪
张宝顺
退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响
2013年
用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1 100℃退火处理后,正的折射率变化量和负的体积变化量随着GeH4流量增加而增大,Ge-O-Ge键增多;而通过900℃退火处理后,折射率没有随着GeH4流量增加而增大;薄膜的表面粗糙度随着退火温度升高而降低。研究结果表明,SiO2薄膜中Ge掺杂过量,其折射率反常下降;通过1 100℃退火处理后,折射率随着GeH4流量增加而增大,折射率的增大主要是由于薄膜密实化和Ge-O-Ge键的形成。
汪加兴
韩军
邢艳辉
邓旭光
王逸群
邢政
姜春宇
方运
关键词:
折射率
退火
晶振元件的封装结构及封装方法
本发明公开了一种晶振元件的封装结构及封装方法,晶振元件的封装结构包括晶圆体、基板以及恒温晶振元件。所述晶圆体内形成有真空腔室,所述真空腔室的腔室壁上设置有在厚度方向贯穿所述腔室壁的导电柱;所述基板设置于所述真空腔室内,所...
张琪
王逸群
姜春宇
吴东岷
曾中明
张宝顺
电子束曝光方法
本发明公开了一种电子束曝光方法,包括:s1、在待加工样品上涂覆一层底层电子束抗蚀剂;s2、在底层的电子束抗蚀剂上形成金属层;s3、在金属层上涂覆一层顶层电子束抗蚀剂;s4、电子束曝光,在顶层电子束抗蚀剂上面形成所需要的纳...
侯克玉
王逸群
姜春宇
王德稳
周震华
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