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母志强

作品数：91 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 86篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 23篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 19篇单晶
  • 19篇晶格
  • 19篇绝缘
  • 18篇半导体
  • 18篇衬底
  • 16篇绝缘体
  • 16篇键合
  • 15篇离子注入
  • 14篇图形化
  • 12篇单晶薄膜
  • 12篇晶体管
  • 11篇缺陷密度
  • 11篇晶体
  • 10篇离子
  • 10篇沟道
  • 10篇光电
  • 10篇硅衬底
  • 9篇应变硅
  • 9篇退火
  • 9篇半导体材料

机构

  • 91篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 91篇母志强
  • 57篇狄增峰
  • 57篇张苗
  • 50篇陈达
  • 42篇薛忠营
  • 33篇俞文杰
  • 24篇王刚
  • 23篇王曦
  • 18篇郭庆磊
  • 16篇叶林
  • 12篇刘强
  • 5篇刘林杰
  • 4篇魏星
  • 3篇李伟
  • 2篇武爱民
  • 2篇董林玺
  • 2篇姜海涛
  • 2篇卞剑涛

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 3篇2025
  • 10篇2024
  • 9篇2023
  • 8篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 13篇2016
  • 13篇2015
  • 9篇2014
  • 6篇2013
  • 6篇2012
共 91 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
混合共平面SOI衬底结构及其制备方法
本发明提供一种混合共平面SOI衬底结构及其制备方法，所述混合共平面SOI衬底结构包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶层硅膜；所述顶层硅膜上形成有若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排...
狄增峰母志强薛忠营陈达张苗王曦
混合共平面衬底结构及其制备方法
本发明提供一种混合共平面衬底结构及其制备方法，所述混合共平面衬底结构包括硅衬底及形成与所述硅衬底上的若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙隔离，所述隔离墙底部到达所述硅衬底表面或所述硅衬...
狄增峰母志强薛忠营陈达张苗王曦
一种光电探测器的制备方法
本发明提供一种光电探测器的制备方法，包括步骤：1）提供一硅衬底，于所述硅衬底表面形成Ge底层；2）在所述Ge底层上生长SiGe/Ge周期结构，最上一层用Ge覆盖；3）于所述SiGe/Ge周期结构及Ge底层中刻蚀出直至所述...
张苗母志强陈达薛忠营狄增峰王曦
应变结构及其制作方法
本发明提供一种应变结构及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基...
狄增峰母志强郭庆磊叶林陈达张苗王曦
体声波谐振器及其制备方法
本发明提出一种体声波谐振器及其制备方法，体声波谐振器包括第一电极、第二电极，以及夹在第一电极及第二电极之间的压电薄膜，其中压电薄膜由n层相邻两层极性相反的极性压电薄膜构成，第一电极与第二衬底被腔体结构隔开，腔体结构被嵌入...
周琮泉母志强俞文杰
真空沟道晶体管及其制作方法
本发明提供一种真空沟道晶体管的制作方法，至少包括：在第一硅衬底上形成层叠结构，所述层叠结构包括第一电介质层、多晶硅层和第二电介质层；图形化所述层叠结构以形成包括空腔和沟槽的图形化区域，其中在所述沟槽的底部暴露出第一硅衬底...
母志强刘强俞文杰
一种全包围栅铁电场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种全包围栅铁电场效应晶体管及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，通过在沟道区处生长全包围栅铁电极介质层，形成全包围栅铁电场效应晶体管，使其具有优秀的电荷输运控制能力，且制备工艺兼容传统CMO...
母志强陈锦俞文杰
高掺钪AlN压电薄膜HBAR器件及工艺研究
2025年
本文研究了高掺钪氮化铝(Al_(x) Sc_(1-x) N)压电薄膜高次谐波体声波谐振器(HBAR)的设计仿真与关键制备工艺。仿真研究了钪掺杂对压电材料和HBAR器件性能影响,研究表明:30%钪组分的Al_(0.7) Sc_(0.3) N薄膜能够提升谐振器近5倍的有效机电耦合系数(k_(eff)^(2))。研究了电感耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀工艺对Mo电极斜坡角度的影响,通过调控工艺参数可以实现侧壁倾角10°~90°大范围调节。研发了Cl_(2)/BCl_(3)/Ar混合气体作为反应气体的Al_(0.7) Sc_(0.3) N薄膜ICP刻蚀工艺,刻蚀速率高达100 nm/min并获得垂直的侧壁形貌。在此基础上成功制备出Al_(0.7) Sc_(0.3) N压电薄膜HBAR谐振器,k_(eff)^(2)达到0.24%,与纯氮化铝(AlN)相比具有显著的提升效果。
赵佳姜文铮周琮泉母志强
关键词：压电薄膜
一种体声波谐振器结构
本发明提供一种体声波谐振器结构，结构包括衬底、第一电极、压电薄膜层叠结构和第二电极；衬底与第一电极之间设置有声学镜；压电薄膜层叠结构位于第一电极和第二电极之间；压电薄膜层叠结构由多个第一压电薄膜和第二压电薄膜交替层叠构成...
周琮泉母志强俞文杰
一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法
本发明提供一种高通量薄膜压电性能综合表征装置及方法，装置包括：同步辐射光源光束发射器、光接收器、可移动样品台、电源及电极选择器、加热测温装置。本发明通过对同一衬底的压电薄膜移动定位实现薄膜压电性能的高通量表征；同时利用同...
朱宇波母志强 朱雷 李卫民俞文杰
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