李志达
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术化学工程更多>>
- 自整流电致阻变异质结的制备与性能研究
- 王华许积文杨玲周尚菊任明放高书明孙丙成李志达张玉佩
- 存储器是计算机、通讯设备等信息处理系统中不可或缺的关键组成部分，已成为其关键技术和经济影响因素之一。然而，当今在快速存取数据存储器中居支配地位的半导体随机存储器(SRAM)存在重大缺陷：电源一消失就会失去所有信息，即挥发...
- 关键词：
- 关键词：存储器
- 一种Ce掺杂Bi<Sub>4-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
- 本发明公开了一种Ce掺杂Bi<Sub>4-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO<Sub>2</Sub>/...
- 王华孙丙成许积文周尚菊杨玲张玉佩李志达赵霞妍
- 文献传递
- 一种Ce掺杂Bi<Sub>4-<I>x</I></Sub>Ce<I><Sub>x</Sub></I>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
- 本发明公开了一种Ce掺杂Bi<Sub>4-<I>x</I></Sub>Ce<Sub><I>x</I></Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/Ti...
- 王华孙丙成许积文周尚菊杨玲张玉佩李志达赵霞妍
- 文献传递
- ZnMn_2O_4陶瓷的固相法合成及其电性能被引量：1
- 2014年
- 采用传统固相合成工艺制备ZnMn2O4陶瓷,借助XRD、SEM等分析手段确定制备ZnMn2O4陶瓷所需的最佳预烧温度和烧结温度,研究不同烧结温度对ZnMn2O4陶瓷交流阻抗谱的影响。介绍了ZnMn2O4薄膜的制备和阻变特性。结果表明:ZnMn2O4陶瓷的最佳预烧温度和烧结温度分别为750、1 100℃;在750℃预烧、1 100℃烧结温度条件下,几乎没有气孔;ZnMn2O4陶瓷模拟等效电路为(R(C(RQ))),低频区电荷扩散属于平面无限扩散过程,高频区界面阻抗近似无穷大;介电常数随烧结温度的增大而减小,介电损耗随烧结温度的增大而增大;磁控溅射可得到ZnMn2O4薄膜且具备阻变特性。
- 李志达王华许积文张玉佩杨玲丘伟
- 关键词：固相合成法交流阻抗谱介电性能
- 一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
- 王华孙丙成许积文周尚菊杨玲张玉佩李志达赵霞妍
- 普遍应用的半导体动态随机存取存储器（DRAM）存在挥发性缺陷，即当电源关闭时，会从DRAM中擦除所有已存储的数据，使数据丢失。然而Flash等非挥发性存储器又存在读写速度慢、存储密度低等技术障碍，同时还面临严重的缩放问题...
- 关键词：
- 关键词：磁存储器
- ZnMn2O4陶瓷、薄膜的制备、性能及器件应用研究
- 半导体存储器因为其独特的功能地位,在电子领域的高速发展的今天,吸引着许多国内国际上知名企业的目光。但是,由于目前半导体存储器技术制备工艺和性能上缺陷的限制,迫切需要在材料和技术方面取得突破性进展。其中,电阻式存储器(RR...
- 李志达
- 文献传递
