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CZT Frisch栅探测器前置放大器的设计被引量：1: 2008年; CZT Frisch电容栅器件采用两个平面电极,侧面金属层与阴极相连,与晶体之间有薄绝缘层隔离。根据Frisch电容栅探测器的结构和前置放大器的参数指标,采用交流耦合,选取结型耗尽型高跨导场效应管作为输入级以及反馈电容和泻放电阻组成的电荷灵敏放大器,成功地设计制造了低噪声、高性能的CZT Frisch栅探测器的前置放大器。并给出了测试结果。; 施朱斌桑文斌钱永彪滕建勇闵嘉华樊建荣刘积善; 关键词：前置放大器 CZT

一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度...; 闵嘉华桑文斌戴灵恩王长君梁小燕施朱斌钱永彪滕建勇秦凯丰; 文献传递

四元并行电容性Frisch栅肖特基CdZnTe探测器被引量：3: 2011年; 由于CdZnTe(CZT)探测器尺寸和能量分辨率受到工艺限制,采用电容性Frisch栅探测器结构,将多个薄的单元探测器并行叠加使其等效为大体积的探测器,用于克服单元小探测器探测效率低的缺点,同时单极电荷的几何结果有效克服了载流子的复合.探测器的电极接触为肖特基接触(In-p/CZT-AuCl3),进一步压缩了权重势,降低了噪声,降低了漏电流,从而得到大体积多元并行探测器的能量分辨率不受单元能量分辨率最差探测器的限制,并且探测效率为单元探测器的2.45～7.31倍.; 施朱斌王林军闵嘉华秦凯丰梁小燕张继军黄健唐可夏义本; 关键词：肖特基碲锌镉探测器

Cd_(1-x)Mn_xTe晶体衬底的红外透过性能: 2012年; 研究了生长态和退火后Cd1-xMnxTe晶片的吸收边和红外透过性能.Cd1-xMnxTe晶体采用垂直Bridgman法生长,获得面积为30 mm×40 mm的(111)面Cd1-xMnxTe单晶片;晶片在Cd气氛下退火.近红外光谱表明,吸收边的截止波长反映晶片的Mn含量范围为0.1887≤x≤0.2039,其中轴向成分波动差值约为0.0152,径向成分波动差值约为0.0013;x=0.2的Cd1-xMnxTe晶体吸收边的吸收系数变化范围为2.5～55 cm-1;退火后,晶体的吸收边位置没有变化,表明晶片中Mn含量未受到退火的影响.傅里叶变换红外透射光谱表明,晶片在红外光波数为4000～500 cm-1范围的红外透过率为45%～55%;退火后,晶片的红外透过率提高到61%以上,接近理论值65%.; 张继军王林军闵嘉华施凌云黄健秦凯丰施朱斌唐可梁小燕夏义本; 关键词：晶体生长吸收边红外透过率

二元并行CdZnTe探测器读出电路及信号处理方法: 2009年; 本文为CdZnTe(CZT)二元并行探测器设计并制作了信号处理系统电路,包括前置放大电路,差分放大电路,极零相消电路,滤波成形电路,微调电路和基线恢复电路和加和电路。137Cs(662keV)辐射下的信号,经过差分放大,极零相消和滤波成形电路的输出,信号持续时间在10μs内,幅度为260mV,两路信号相加后信噪比大于15:1。能谱测试初步结果表明:采用这个信号处理系统,二元CZT并行探测器对137Cs(662keV)源的探测效率分别是单元器件的1.74和2.2倍,能量分辨率接近于单元器件。; 施朱斌桑文斌钱永彪滕建勇闵嘉华樊建荣胡冬妮; 关键词：信号处理读出电路

四元并行碲锌镉核辐射探测器装置: 本发明涉及一种四元并行碲锌镉核辐射探测器装置,它包括四个碲锌镉探测器，每个碲锌镉探测器分别经过一个前置放大器再经过一个差分放大器和一个主放大器，然后一起连接一个加法电路，最后该加法电路连接到一个多道能谱仪和数字示波器，四...; 沈萍王林军施朱斌张继军梁小燕闵嘉华毕美梁巍王君楠; 文献传递

高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究被引量：1: 2008年; 利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于E_c-18meV的替代浅施主缺陷[In_(Cd)^+],同时[In_(Cd)^+]还与[V_(Cd)^(2-)]形成了能级位于E_v+163meV的复合缺陷[(In_(Cd)^+-V_(Cd)^(2-))^-].DLTS分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Te_(Cd)]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.; 李刚桑文斌闵嘉华钱永彪施朱斌戴灵恩赵岳; 关键词：碲锌镉深能级瞬态谱

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施朱斌