邹华
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
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- Zn_(1-X)Cd_XS三元纳米线的制备及生长机理
- 2009年
- 本文以CdS和ZnS粉末作为前驱物,采用化学气相沉积(CVD)法在1100条件下,以金膜为催化剂在硅衬底上一步合成了Zn1-XCdXS三元纳米线.扫描电镜(SEM)测试表明合成的Zn1-XCdXS晶体具有线状的微观形貌;X射线衍射(XRD)图谱显示产物是六方铅锌矿Zn0.2Cd0.8S;X射线能量色散谱(EDX)给出了Zn和Cd和S的比例为0.1:0.7:1.产物Zn1-XCdXS纳米线的生长机理为气-液-固(VLS)机制,物相形成机制为替位式化合机制,即Zn离子取代CdS中Cd离子化合成三元物相.
- 邹华吴荣孙言飞郑毓峰简基康
- 关键词：化学气相沉积纳米线
- 真空热蒸发法制备CdS纳米带及其光学性质
- 2010年
- 在常规真空镀膜仪中,我们首创了一种利用真空热蒸发原理在催化剂Bi的辅助下制备一维CdS纳米带的方法.X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱(EDX)实验证明所得纳米带为纯的六方纤锌矿型CdS结构.扫描电子显微镜(SEM)观察到CdS纳米带在较大范围内具有非常均匀的带宽.光致发光谱发现CdS纳米带有两个发光带.经分析推测CdS纳米带的生长机理为:生长前期为气-液-固(VLS)机制占主导地位,而气-固(VS)机制在纳米带的形成过程和生长的后期起决定作用.
- 邹华吴荣孙言飞郑毓峰王军彭登峰简基康
- 关键词：CDS纳米带气-液-固气-固
- 真空热蒸发生长CdX(X=S,Te)纳米线研究性实验被引量：6
- 2010年
- 将一维纳米结构的气—液—固生长机制与大学材料物理实验真空热蒸发镀膜结合,设计了生长半导体纳米线的研究性实验.利用金属铋或锡作为催化剂,真空热蒸发生长了CdS,CdTe等半导体纳米线.纳米线产物形貌均匀,并可实现选择性生长.
- 简基康吴荣尚飞邹华
- 关键词：纳米线
