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孙孝翔

作品数:8 被引量:5H指数:1
供职机构:上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 8篇碲锌镉
  • 6篇碲锌镉晶体
  • 6篇晶体
  • 3篇温度梯度
  • 2篇溶剂
  • 2篇施主
  • 2篇施主掺杂
  • 2篇提纯
  • 2篇缺陷密度
  • 2篇晶体生长
  • 2篇晶体生长过程
  • 2篇晶体性能
  • 2篇夹杂
  • 2篇红外透过率
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇溶液法
  • 1篇退火
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇欧姆接触电极

机构

  • 8篇上海大学

作者

  • 8篇张继军
  • 8篇梁小燕
  • 8篇闵嘉华
  • 8篇孙孝翔
  • 8篇刘伟伟
  • 7篇王林军
  • 5篇张涛
  • 5篇李辉
  • 5篇王东
  • 5篇滕家琪
  • 4篇郭昀
  • 3篇席韡
  • 2篇王东
  • 2篇孟利敏
  • 1篇滕嘉琪
  • 1篇李辉

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇上海大学学报...

年份

  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种提高碲锌镉晶体性能的方法
本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置,属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括:利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质,然后利用热迁移机制(处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温...
闵嘉华李辉梁小燕刘伟伟孙孝翔王东席韡张继军王林军张涛滕家琪郭昀
文献传递
温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及性能研究被引量:1
2012年
利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20~30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。
王东闵嘉华梁小燕孙孝翔刘伟伟李辉张继军王林军
关键词:碲锌镉红外透过率
碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的方法
本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法,属特殊晶体生长技术领域。其特点包括:将化学计量配比满足Cd<Sub>1-x</Sub>Zn<Sub>x</Sub>Te(x=0.04~0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn...
闵嘉华王东梁小燕刘伟伟孙孝翔李辉孟利敏张继军王林军郭昀张涛滕家琪
双封套压缩生长碲锌镉晶体坩埚内自由空间的方法及装置
本发明涉及双封套压缩生长碲锌镉晶体坩埚内自由空间的方法及装置。属特殊晶体生长技术领域。本发明要点是:将满足Cd<Sub>1-x</Sub>Zn<Sub>x</Sub>Te(x=0.04~0.8)的纯度为99.99999%...
闵嘉华孙孝翔席韡刘伟伟滕嘉琪梁小燕张继军王东李辉
文献传递
碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的方法
本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法,属特殊晶体生长技术领域。其特点包括:将化学计量配比满足Cd<Sub>1-x</Sub>Zn<Sub>x</Sub>Te(x=0.04~0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn...
闵嘉华王东梁小燕刘伟伟孙孝翔李辉孟利敏张继军王林军郭昀张涛滕家琪
文献传递
一种提高碲锌镉晶体性能的方法
本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置,属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括:利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质,然后利用热迁移机制(处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温...
闵嘉华李辉梁小燕刘伟伟孙孝翔王东席韡张继军王林军张涛滕家琪郭昀
溶液法制备CdZnTe晶体中Te夹杂相分析被引量:4
2013年
利用红外(infrared,IR)显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外(Fourier transform infrared,FTIR)光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹杂相.讨论CdZnTe晶锭中Te夹杂相的分布和原因,及其对晶体中位错密度(etch pitdensity,EPD)和红外透过率的影响.实验结果表明:沿生长轴方向,Te夹杂相密度增大,相应的位错密度也增大;红外透过率随Te夹杂相密度的增大而减小,生长末端晶体的透过率低至45%.
王东闵嘉华梁小燕孙孝翔刘伟伟张继军王林军
关键词:碲锌镉位错红外透过率
在碲锌镉晶体表面制备In重掺杂的Au/In欧姆接触电极的方法
本发明涉及探测器级CdZnTe(CZT)晶体表面制备In重掺杂形成Au/In欧姆特性电极的工艺方法,应用与CZT探测器制备工艺技术领域。本发明是在CZT晶体表面用磁控溅射法制备一层In电极,再制备一层Au电极,对晶体封装...
闵嘉华刘伟伟梁小燕孙孝翔滕家琪张涛张继军王林军
文献传递
共1页<1>
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