刘光亮
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信理学更多>>
- 一种用于幕墙装饰的陶板及制备方法
- 本发明涉及一种用于幕墙的陶板及制备方法，其原料配方由粗大的陶瓷骨料和细小的塑性料组成，陶瓷泥料各组分为：膨润土、伊利土、高岭土、叶腊石、石英、长石、废熟料、水；制备方法为将陶瓷原料按骨料45-65wt％塑性料为35-55...
- 杨建锋曹小青张千里刘光亮李春芳沈英曹立坤
- 一种致密碳化硅陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术，以及对气相重新结晶排列堆积过程的控制，实现碳化硅晶体...
- 杨建锋刘光亮戴培赟史永贵鲍崇高乔冠军
- 文献传递
- 定向多孔碳化硅陶瓷的无模板高温再结晶制备工艺研究
- 刘光亮
- 关键词：碳化硅多孔陶瓷
- 籽晶处理工艺对PVT法生长SiC单晶的影响
- 戴培赟史永贵杨建锋刘光亮程基宽
- 一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种粒度或两种粒度级配...
- 高积强杨建锋刘光亮程基宽戴培赟李春芳
- 文献传递
- 籽晶处理工艺对物理气相传输法生长SiC单晶的影响被引量：1
- 2010年
- 将块体SiC单晶中切割下的晶片经研磨、抛光和腐蚀不同工艺处理后作为籽晶,用物理气相传输法生长SiC晶体,生长时间为10min。用光学显微镜观察晶片生长前后的形貌,讨论了不同处理工艺籽晶对晶体生长的影响。结果表明,研磨和抛光可以去除晶体切割时产生的凹坑和划痕,但残留的研磨变质层和抛光导致的机械损伤层可诱导晶片在高温晶体生长时产生多晶成核,腐蚀可以去除研磨和抛光时产生的机械损伤层,用腐蚀后的晶片作为籽晶,生长的晶体表面光滑,并且能够很好地复制籽晶的结构。
- 戴培赟史永贵杨建锋刘光亮程基宽
- 关键词：碳化硅单晶晶体生长籽晶
- 一种用于幕墙装饰的陶板及制备方法
- 本发明涉及一种用于幕墙的陶板及制备方法，其原料配方由粗大的陶瓷骨料和细小的塑性料组成，陶瓷泥料各组分为：膨润土、伊利土、高岭土、叶腊石、石英、长石、废熟料、水；制备方法为将陶瓷原料按骨料45-65wt％塑性料为35-55...
- 杨建锋曹小青张千里刘光亮李春芳沈英曹立坤
- 文献传递
- 一种致密碳化硅陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术，以及对气相重新结晶排列堆积过程的控制，实现碳化硅晶体...
- 杨建锋刘光亮戴培赟史永贵鲍崇高乔冠军
- 一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种粒度或两种粒度级配...
- 高积强杨建锋刘光亮程基宽戴培赟李春芳
- 文献传递
- 物理气相传输(PVT)法生长碳化硅的晶体形态热应力分析被引量：3
- 2011年
- 利用有限元方法对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅晶体过程中出现的3种典型生长形态进行了热应力分析.结果表明:在3种晶体生长形态中,热应力最大值都出现在晶体与石墨坩埚盖接触区域;平面型生长形态中温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均比较均匀;凸面型和凹面型生长形态的温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均变化较大,而且在凸面型的中间区域和凹面型的边缘区域也存在较大的应力值.因此,为提高晶体质量,提出在石墨坩埚盖上沉积或反应生成碳化硅过渡层来减小热应力的改良方法,同时调整碳化硅晶体生长系统,尽量保证碳化硅晶体的平面型生长形态.
- 史永贵戴培赟杨建锋刘光亮
- 关键词：碳化硅单晶热应力
