马洪江
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 等离子刻蚀多晶硅问题解析被引量：1
- 2013年
- 多晶硅在MOS电路中占有极其重要的位置,掺杂后的多晶硅往往是用做栅极的导电材料。而腐蚀后的掺杂多晶硅的线宽决定了有源器件的栅长,而栅长确定了沟道长度并定义出了源漏电极的边界。湿法腐蚀多晶因其侧腐量大而不能使用,必须应用干法刻蚀,这里对多晶硅在干法刻蚀方面的一些问题进行了简要的分析及解决。
- 马洪江蔡震
- 关键词：多晶硅干法刻蚀等离子刻蚀
- 高压CMOS电路的设计及制造工艺研究
- 2007年
- 介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂漏区以形成漂移区等提高MOS晶体管击穿电压的一系列技术措施,使MOS晶体管的源漏击穿电压提高至35V以上,电路在24V电压下可以正常工作。
- 郭常厚马洪江宋玲玲
- 关键词：高压CMOS漂移区
- MEMS器件刻蚀工艺优化被引量：1
- 2016年
- 基于MEMS器件的特殊结构,介绍了硅基电容式传感器MEMS器件刻蚀工艺的实现,工艺包含厚膜光刻、双面对准套刻和深沟槽刻蚀等难点。通过调整掩蔽层光刻胶的厚度,保持较高线宽分辨率的同时实现了硅片深沟槽的刻蚀加工;采用俄罗斯5026A型双面光刻机实现了硅片的对准套刻,成功实现了电容式传感器器件结构的刻蚀工艺,为用户提供了满意的产品,证明了该刻蚀工艺的可行性和实用性。
- 孙德玉马洪江
- 关键词：MEMS器件光刻胶
- 混合PIN/Schottky二极管特性简析被引量：2
- 2012年
- 软恢复快速功率二极管广泛应用于电力电子电路中,采用MPS结构的软恢复快速二极管既克服了传统PIN二极管开关速度较低的缺点,又解决了肖特基二极管较低击穿电压的缺陷,它具有速度快、击穿电压高、漏电流小、软恢复特性好的优点。对MPS二极管的各个参数进行研究,引出MPS二极管在应用时的相对优势、进而阐述它的结构特点、工作原理和相关特性。
- 蔡震马洪江
- 关键词：SCHOTTKY二极管软恢复
- NiCr势垒腐蚀工艺技术
- 2014年
- 传统的以NiCr为势垒层的肖特基产品在势垒合金完成后使用王水(硝酸:盐酸=1:3)去除多余的NiCr,但此方法过程不易控制,形成的势垒区也不十分平坦,而使用硝酸铈铵溶液去除NiCr不仅过程容易控制,且成品率高。通过对两种方法去除NiCr的对比,找到了更合适的肖特基产品的NiCr势垒层腐蚀方法。
- 马洪江刘昕阳
- 关键词：硝酸铈铵MCR
