赵力
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 辐射效应对半导体器件的影响及加固技术被引量：6
- 2010年
- 与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括:栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。
- 赵力杨晓花
- 关键词：微电子器件抗辐射加固
- 薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构
- 本实用新型涉及一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，按照本实用新型提供的技术方案，所述薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，包括P型衬底及位于所述P型衬底上的P型外延层，所述P型外延层上设...
- 李博封晴田海燕王晓玲赵力孙佩
- 文献传递
- 薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构
- 本发明涉及一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，按照本发明提供的技术方案，所述薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，包括P型衬底及位于所述P型衬底上的P型外延层，所述P型外延层上设有EEP...
- 李博封晴田海燕王晓玲赵力孙佩
- 文献传递
- 系统共地引发LATCH-UP及应对措施
- 2008年
- 每一个系统都有自己的VDD、GND,信号都是相对本系统的GND而言。在某些特殊场合,系统间信号传输切换伴随着"共地"的过程,在这样的过程中若两个GND之间的电位不同,就会在两个不同的GND之间发生能量交换。如果两者电位相差很大,这种能量交换所发生的冲击可能会诱发系统中集成电路内部发生LATCH-UP。文中对这种特殊使用场合发生的LATCH-UP现象进行了描述,并通过对这种LATCH-UP现象的实验、分析,提出抑制发生这种LATCH-UP的措施。
- 赵力王惠萍
- 关键词：信号切换LATCH-UP
- EEPROM单元抗辐射版图设计技术被引量：1
- 2010年
- 随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了达到提高存储器件抗辐射性能的目的,文章从版图设计的角度出发,首先分析了辐射对器件造成的影响,接下来分别介绍了基于FLOTOX和SONOS工艺的EEPROM器件特性,同时指出了在版图设计时需要注意的电压耦合比的问题。在设计中,利用管内隔离和管间隔离的方法,使得管内源/漏端和相邻两管源/漏端之间没有场氧介入,或是将场氧隔开,不让场区下形成漏电通道。设计出的EEPROM版图,不但满足了目前的工作需要,同时为以后抗辐射版图设计提供了有用的参考。
- 赵力田海燕周昕杰
- 关键词：EEPROM单元抗辐射
