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  • 4篇中文期刊文章

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  • 1篇偏振特性
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机构

  • 4篇中国科学院上...

作者

  • 4篇方祖捷
  • 4篇辛国锋
  • 4篇瞿荣辉
  • 4篇皮浩洋
  • 4篇陈高庭
  • 4篇沈力
  • 2篇蔡海文
  • 1篇封惠忠

传媒

  • 2篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报

年份

  • 3篇2010
  • 1篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
高功率半导体激光器光束非相干合成技术进展被引量:6
2010年
半导体激光器阵列的输出光功率密度较低、输出光束质量较差的缺点限制了它的广泛应用。介绍了提高输出光功率密度和输出光束质量的非相干技术波长合成技术、偏振合成技术和空间交叉合成技术的最新进展,对实现各种技术的结构和实验结果进行了综述报道。
辛国锋皮浩洋沈力瞿荣辉蔡海文方祖捷陈高庭
关键词:光电子学半导体激光器阵列非相干
高功率半导体激光器热阻测量的实验研究被引量:2
2010年
根据目前多数高功率半导体激光器模块只适合工作在准连续(QCW)状态下的特点,提出了利用光谱方法测量半导体激光器温升进而计算得到热阻的计算方法。该方法具有简单、直观、快捷的特点,同时避开了常规计算热阻方法要求半导体激光器工作在连续状态的局限性。其中在不同占空比、同一工作电流下得到的热阻值一致性较好,更接近文献给出的数值,具有实际应用价值。
辛国锋沈力皮浩洋瞿荣辉蔡海文方祖捷陈高庭
关键词:激光器高功率半导体激光器准连续热阻峰值波长
半导体激光器阵列横向波长分布与键合应力关系的研究被引量:4
2010年
测试了半导体激光器阵列的横向波长分布。结果表明,多数阵列的波长分布出现了V型的"凹陷"。这一分布与器件工作温升引起的横向波长分布相反,根据半导体禁带宽度与应变关系的基本理论,说明这一波长分布反映了键合应力的状态。通过对键合应力产生机理的初步分析,提出了线性应力分布模型,很好地解释了现有的实验数据。实验和分析表明,激光器阵列横向波长分布的测量是键合应力探测的一个有用手段。
沈力辛国锋皮浩洋方祖捷陈高庭瞿荣辉
关键词:光电子学半导体激光器阵列
半导体激光器阵列偏振特性及其与应力关系的实验研究被引量:5
2009年
半导体激光器阵列(LDA)封装过程中引入的应力是影响器件阈值电流、光束特性和寿命的重要因素,需要一种简单有效的测试半导体激光器阵列应力的方法评估检测器件封装的质量。分析了应力改变电荧光偏振度(DOP)的一系列理论机制,并通过对条形激光器阵列在荧光条件下偏振特性的测量,研究了几种不同封装形式的条形激光器阵列的荧光偏振度随外加应力的变化性质。实验表明,半导体激光器阵列的偏振特性随驱动电流的增加变化明显,尤其是在阈值电流附近,偏振特性急剧变化。当有局部外力作用器件时,器件的荧光偏振度分布明显变化。通过对多个不同材料封装器件的荧光偏振度测试比较,发现不同的材料和封装形式对管芯引入的封装应力有明显的差别。
沈力皮浩洋辛国锋封惠忠方祖捷陈高庭瞿荣辉
关键词:半导体激光器偏振度阵列应力
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