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王波

作品数:28 被引量:130H指数:8
供职机构:山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金山东省博士后创新项目更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 27篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 23篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 22篇晶体
  • 19篇KDP晶体
  • 7篇晶体生长
  • 6篇光学
  • 5篇KDP
  • 4篇损伤阈值
  • 4篇籽晶
  • 3篇生长习性
  • 3篇退火
  • 3篇热退火
  • 3篇习性
  • 3篇光学均匀性
  • 2篇杂质对
  • 2篇散射
  • 2篇透过率
  • 2篇退火温度
  • 2篇氢键
  • 2篇消光比
  • 2篇硫酸盐
  • 2篇激光

机构

  • 28篇山东大学
  • 1篇山东轻工业学...
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇成都精密光学...
  • 1篇上海卫星工程...

作者

  • 28篇王波
  • 23篇孙洵
  • 20篇王圣来
  • 18篇顾庆天
  • 16篇许心光
  • 14篇房昌水
  • 8篇李云南
  • 8篇李毅平
  • 7篇王坤鹏
  • 6篇李义平
  • 6篇刘冰
  • 5篇丁建旭
  • 4篇孙云
  • 4篇王正平
  • 4篇牟晓明
  • 3篇程秀凤
  • 3篇张建芹
  • 3篇梁晓亮
  • 2篇张光辉
  • 2篇郝爱友

传媒

  • 13篇人工晶体学报
  • 6篇功能材料
  • 3篇强激光与粒子...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇山东化工
  • 1篇中国激光
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇化学进展
  • 1篇第七届全国激...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 6篇2004
  • 2篇2003
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
超大尺寸KDP/DKDP晶体研究进展被引量:4
2021年
KDP/DKDP晶体具有生长方法简单、成本较低、光学性能良好等优点,而可生长出的超大尺寸KDP/DKDP晶体是目前唯一可用于高功率激光工程的单晶材料。但是在晶体的生长过程中存在很多影响因素,同时对晶体进行后处理也会影响晶体的性能,这都直接关系到超大尺寸KDP/DKDP晶体的实际应用。鉴于此,本文综述了近些年超大尺寸KDP/DKDP晶体的重要研究进展,特别是针对传统生长和快速生长中存在的问题和相应的解决对策以及晶体性能相关的研究,并重点对晶体的透过率、氘化率、激光诱导损伤等进行了分析和讨论。
张力元王圣来刘慧徐龙云李祥琳孙洵王波
杂质对KDP晶体光学质量的影响被引量:11
2004年
 研究了几类可能出现在KDP晶体的生长溶液中的有机物杂质和无机阴离子杂质基团对KDP晶体散射、透过率、光损伤阈值等光学质量的影响,结果表明,不同种类的杂质的影响并不相同,造成这一结果的根本原因在于杂质离子的结构及其与晶体表面原子成键能力的不同。
孙洵程秀凤王正平顾庆天王圣来李毅平李云南王波许心光房昌水
关键词:KDP晶体
退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究
适当温度的退火可以降低KDP晶体的内应力,使晶体的消光比提高,从而提高晶体的均匀性.实验证明,50℃退火即可消除部分内应力,110℃退火可以消除鬼影和鬼线.但是太高的退火温度(如170℃)也可能使晶体的均匀性降低.
王圣来王波张光辉尹鑫高樟寿房昌水孙洵李义平
关键词:热退火KDP晶体消光比光学均匀性
文献传递
KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究
2004年
目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个:溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.
李云南房昌水孙洵顾庆天王圣来王坤鹏王波刘冰张建芹
关键词:生长习性透过率KDP晶体
KDP晶体生长过程中溶液稳定性的研究被引量:11
2004年
在KDP晶体生长过程中,溶液的稳定性对KDP晶体的光学质量影响较大。溶液的稳定性是多种因素共同作用的结果。本文主要研究了过饱和KDP溶液中晶胚的分布情况、降温过程中晶体生长驱动力与降温速度之间的关系,并分析了KDP晶体实际生长过程中影响溶液稳定性的主要因素。我们认为,通过改善KDP晶体生长过程中溶液的稳定性,并与其它措施和技术相结合,是提高KDP晶体光学质量的有效途径。
李云南房昌水顾庆天孙洵王圣来李义平王坤鹏王波
关键词:KDP晶体稳定性晶胚
Ca^(2+)对KDP晶体的光损伤阈值的影响被引量:3
2008年
Ca2+是KDP原料中一种常见的杂质离子,这种杂质不仅会影响晶体的生长过程,而且会加重晶体的光散射。通过传统降温法和点籽晶快速生长法生长不同Ca2+掺杂浓度的KDP晶体样品,对样品进行激光损伤实验,结果表明,Ca2+的存在降低了KDP晶体的光损伤阈值,其原因主要在于Ca2+掺杂导致晶体内部缺陷增多,内应力增加以及晶体中的散射颗粒密度增大使晶体光吸收加重。
牟晓明王圣来王波许心光孙洵顾庆天李毅平刘冰孙绍涛卢永强孙云
关键词:CA^2+KDP晶体晶体生长损伤阈值
退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究被引量:8
2004年
 研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性。实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低。
王圣来王波张光辉牛爱芹尹鑫高樟寿房昌水孙洵李义平
关键词:热退火KDP晶体消光比
不同籽晶对KDP晶体质量的影响被引量:1
2012年
采用Z片籽晶和锥头籽晶分别进行传统降温法生长KDP晶体,并对其高分辨摇摆曲线、锥光干涉图以及消光比进行测试研究。实验发现,KDP晶体在不同籽晶下均能实现较好的生长稳定性,采用锥头籽晶生长的KDP晶体具有相对更好的晶体质量。
孙云王圣来顾庆天许心光王波丁建旭刘文洁刘光霞朱胜军
关键词:KDP晶体籽晶摇摆曲线锥光干涉图
KDP晶体体缺陷和损伤的观测方法研究被引量:12
2006年
采用激光散射诊断法和显微镜相衬法对磷酸二氢钾(KH2PO4、KDP)晶体中的缺陷和损伤进行观测,发现散射法可以对晶体中的缺陷和损伤进行灵敏观测,并可以即时判断损伤;而显微镜相衬法可以对损伤形貌清晰观测,两种方法结合使用可以更好地观测晶体的缺陷和损伤并有助于了解晶体损伤的机理。
张艳珍孙洵蒋晓东王波黄进陈习权魏晓峰许心光
关键词:散射法KDP晶体
KDP/DKDP晶体生长的研究进展被引量:20
2007年
采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。
王波房昌水王圣来孙洵顾庆天许心光李义平刘冰牟晓明
关键词:惯性约束核聚变溶液晶体生长
共3页<123>
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