王东伟
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能的影响被引量：4
- 2007年
- 采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层(NOL)对NiFe薄膜性能的影响。实验结果表明:将CoFe-NOL引入NiFe薄膜,CoFe-NOL对NiFe薄膜性能有重要影响,并且CoFe-NOL在薄膜中的位置不同影响效果也不同;CoFe-NOL处于Ta/NiFe界面时,由于破坏了NiFe薄膜的织构,导致了NiFe薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值的减小和矫顽力的上升;CoFe-NOL处于NiFe/Ta界面时,则不会破坏NiFe薄膜的织构,其AMR值和矫顽力基本没有变化。将Al2O3插层引入NiFe薄膜,由于Al2O3插层的"镜面反射"作用,合适厚度的Al2O3插层可以改善薄膜的微结构,提高薄膜的磁电阻值,改善薄膜的磁性能。当Al2O3插层厚度为1.5 nm时,NiFe薄膜有最佳的微结构和性能。
- 王东伟丁雷王乐滕蛟于广华
- 关键词：各向异性磁电阻
- 一种提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法
- 本发明提供了一种利用纳米氧化层和真空退火提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法，其利用磁控溅射仪，在清洗干净的玻璃基片或硅基片上沉积钽Ta/钴铁CoFe纳米氧化层/镍铁NiFe/钴铁CoFe纳米氧化层/钽Ta多层膜。本发明的...
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- 文献传递
- 纳米氧化层对坡莫合金薄膜性能影响的研究
- 王东伟
- 关键词：各向异性磁电阻
