殷桂琴
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：西北师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学一般工业技术更多>>
- 第34届全国中学生物理竞赛中一个力学问题的多种解法被引量：1
- 2018年
- 对第34届全国中学生物理竞赛复赛理论试卷第一题第一问,从动力学、能量守恒、分析力学多角度出发进行了求解,综合知识点,演绎出多种解题方法。通过这些方法充分展现了依据基本物理规律处理问题的灵活性,也展示了建立清晰物理图象、选择恰当合理的近似、有效利用数学手段等在解决物理问题中的重要性。对教师研究物理教学有参考价值,同时,对培养学生的探究精神和物理学习兴趣也有实际意义。
- 唐荣安袁萍苟学强殷桂琴
- 关键词：物理竞赛多种解法
- 常压双频驱动Ar/CCl_4等离子体射流制备碳薄膜的研究被引量：1
- 2019年
- 在大气压下双频Ar/CCl_4等离子体射流的驱动下,固定低频功率,通过改变射频功率在硅基底上制备了非晶态碳薄膜,并且通过程序进行相应的数值模拟计算。结果给出了不同功率下电子与离子的密度、温度、电场、电势、角度分布等参数对碳材料样品形貌的影响;样品变化趋势的预测及其原因的分析,以及与实验结果的对比。结果表明,对于双频大气压等离子体,射频可以独立控制等离子体的能量和反应强度,可以相对地控制产物。这为制备薄膜材料的形貌提供重要的实验基础。
- 张亚东袁强华殷桂琴王勇李洋
- 关键词：双频碳材料
- Ar/SiCl4大气压等离子体射流沉积SiO2薄膜
- 2016年
- 以氩气为携带气体,SiCl4为源材料,使用双频(50kHz/33 MHz)组合功率源大气压等离子体射流(APPJ)装置,以空气中的氧气作为氧化物质沉积SiO2薄膜.用发射光谱检测等离子体组成物种,并研究了随源材料(SiCl4)含量的不同,体系内各主要物种的变化情况并以此得到较优的沉积条件.分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)以及傅里叶红外光谱(FT-IR)对所沉积薄膜的形貌、化学成分和化学结构进行检测.XPS表明薄膜主要组成元素为Si、O以及少量的Cl.FT-IR显示薄膜化学结构主要为Si-O-Si和Si-OH键.
- 袁强华常小伟李娇娇殷桂琴
- 关键词：SIO2薄膜
- 旋转涂覆法制备硅基多孔低k薄膜材料的研究进展
- 2010年
- 详细介绍了目前采用旋转涂覆(Spin-on deposition)法制备硅基多孔低k薄膜材料(MSQ及HSQ)的方法及技术,其次介绍了用FTIR对低介电MSQ及HSQ薄膜的结构的分析,最后指出了等离子体处理对薄膜表面改性研究的主要进展以及存在的问题和今后的研究方向。
- 殷桂琴袁强华
- 关键词：等离子体处理
- 气压对于低气压双频容性耦合Ar/O2等离子体放电特性影响的研究被引量：3
- 2020年
- 研究了气压对双射频氩氧混合等离子体电子温度和电子密度的影响。在13.56MHz低频功率和94.92MHz高频功率固定为60W和氩氧气体比为1:9的情况下,利用发射光谱法分析了气压不同时氩氧混合等离子体的放电光谱中的特征谱线的变化规律。使用一维质点网格法(PIC-MC)静电模型计算了电子温度和电子密度。结果表明:电子温度随着气压的增加先降低后升高,与实验结果趋势相吻合;电子密度随着气压的增加先增大后减小。
- 吴良超殷桂琴孟祥国周有有王兢婧
- 关键词：发射光谱法
- 6~50 MHz射频容性耦合Ar等离子体的放电特性
- 2022年
- 通过光谱实验测量和PIC/MCC模拟,研究了6~50 MHz射频驱动下容性耦合氩等离子体的放电特性.固定气压为40 mTorr,气体流量为30 mL·min-1.结果表明,当频率和气压一定时,随着功率的增大,电子密度升高,电子温度降低;在气压和功率不变的情况下,随着频率的增加,电子温度升高,电子密度降低.通过模拟与实验对比发现,模拟结果与实验结果变化趋势较一致.电子能量分布函数均为双麦克斯韦分布,高能电子布居数随功率增大而减小,低能电子布居数随功率增大而增大.当功率恒定为60 W时,高能电子布居数不断增加,而低能电子布居数随频率的增加而减少,这可以解释电子温度随频率的增加而增加的原因.电场强度的时空分布表明,鞘层厚度随功率和频率的增加而减小.
- 袁强华秦彪殷桂琴刘朝晖
- 不同频率驱动下容性耦合Ar等离子体随气压变化的放电特性
- 2023年
- 讨论了在驱动频率分别为13.56MHz、40.68MHz、94.92MHz和100MHz,功率为40W,气压由3.3~26.6Pa下的容性耦合Ar等离子体的放电特性。利用光谱相对强度法分别诊断了电子激发温度和电子密度。采用粒子模拟和蒙特卡罗碰撞模型(PIC/MCC),模拟了上述实验条件下中心处电子密度和电子能量概率分布(EEPF)。结果表明,在每一个驱动频率下,电子密度均随放电气压的增加而增加,而电子温度则随气压增加而降低。驱动频率为13.56MHz和40.68MHz的电子密度随气压变化趋势几乎一致,而94.92MHz和100MHz的电子温度则随气压变化趋势几乎一致。通过比较EEPF,电子温度随气压的增加有下降的趋势,与光谱诊断结果基本吻合。
- 袁强华刘珊珊殷桂琴秦彪
- 关键词：发射光谱法
- 13.56 MHz/94.92 MHz双频容性耦合氩等离子体特性研究被引量：2
- 2019年
- 利用高频频率(HF)为94.92MHz,低频频率(LF)为13.56MHz获得了氩等离子体.采用发射光谱法(OES)监测并诊断了氩等离子体的演化过程.基于费米-狄拉克模型计算了电子温度,用连续谱绝对强度法计算了电子密度.结果表明,电子温度随着低频功率的增大而升高,随着高频功率的增大而降低;电子温度随气压的升高而降低;电子密度随高频功率和低频功率的增大而增大;电子密度随气压的增大呈现出先增大后减小的趋势并且在60mTorr附近出现峰值.
- 袁强华孟祥国殷桂琴吴良超刘珊珊
- 关键词：电子温度电子密度等离子体
- 旋转涂敷法(SOD)制备硅基多孔低k薄膜材料的研究
- 自20世纪90年代以来，超大规模集成电路（ULSI）的特征尺寸按摩尔定律缩小。由于器件密度和连线密度增加、线宽减小，将导致阻容（RC）耦合增大，从而使信号传输延时、干扰噪声增强和功率耗散增大。未来的超大规模集成电路制造技...
- 殷桂琴
- 关键词：超大规模集成电路溶胶-凝胶法
