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关于矢量与矢量微分之间标积的若干讨论被引量：3: 2014年; 通过分类讨论矢量与矢量微分之间的标积，帮助初学者对矢量与矢量微分之间标积结果的理解．; 彭成晓房彩丽王超; 关键词：矢量

慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究被引量：3: 2005年; 利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷(VO,VZn)随混合气体中O2比例(PO2)的变化关系。结果表明:PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同一种缺陷类型,O空位(VO)和Zn填隙(Zni)可能是材料中主要缺陷。PO2>70%时,这些ZnO样品中缺陷以Zn空位(VZn)为主。随着反应室中O2含量的增加,样品的Zn空位(VZn)浓度逐渐增加;当PO2为85%时,与正电子湮没的VZn数目减少,可能是杂质原子对VZn屏蔽引起的结果;PO2低于50%,材料中H原子数目相对较多,H原子会与晶格中的悬挂键结合,和存在同种缺陷的其它样品相比,这时能与晶格原子悬挂键湮没的正电子数目要减少很多。随着O2含量增加,VZn浓度逐渐变大,VO和Zni浓度相应减小,这些变化与光致发光谱(Photoluminescence,PL)反映的实验结果相吻合。; 彭成晓翁惠民杨晓杰叶邦角周先意韩荣典; 关键词：ZNO 氧含量

氧压对ZnO中缺陷的影响: 利用慢正电子研究了不同氧压下射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷随反应气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70％时,这些ZnO样品中存在同一种正电子湮没类型,即正电子是与材料中的晶格...; 彭成晓翁惠民杨晓杰叶邦角周先意韩荣典; 关键词：射频磁控反应溅射 ZNO 本征缺陷正电子湮没; 文献传递

ZnO dO铁磁性的可能来源: 通过第一性原理研究了ZnO本征半导体中本征缺陷和H杂质对ZnO dO铁磁性的影响。结果表明：单个锌空位(VZn)可以产生1.73μB磁矩,而氧空位(Vo)不能产生磁性,但是锌空位缺陷形成能比氧空位缺陷形成能要高出很多。当...; Chengxiao Peng彭成晓Yang Zhang张杨; 关键词：第一性原理

正电子对ZnO和GaN宽带隙半导体中缺陷的研究: 近年来，以ZnO和GaN为代表的第三代半导体材料由于其独特的物理特性引起了科研人员极大的研究兴趣，这些材料中的点缺陷是影响其性能的重要因素，因此准确鉴别和量化材料中的点缺陷就显得尤为重要。正电子湮灭谱学/(Positro...; 彭成晓; 关键词：正电子湮灭氮化镓慢正电子束; 文献传递

氧压对ZnO中缺陷的影响: 利用慢正电子研究了不同氧压下射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷随反应气体中O2比例(PO2)的变化关系。结果表明:PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同一种正电子湮没类型,即正电子是与材料中的晶格...; 彭成晓翁惠民杨晓杰叶邦角周先意韩荣典; 文献传递

金纳米颗粒等离激元对不同形貌氧化锌薄膜发光性能的调控(英文): 2012年; 采用化学气相沉积法制备了纳米棒状的氧化锌纳米结构薄膜和没有纳米棒的氧化锌薄膜,通过直流溅射在所制备的有纳米棒和没有纳米棒的氧化锌薄膜上淀积约3 nm厚的金纳米颗粒薄膜,研究了金纳米颗粒对不同表面形貌氧化锌薄膜的发光特性的影响。实验发现金纳米颗粒的存在使具有纳米棒的氧化锌薄膜的紫外发射增强,但使来自缺陷的可见光发射受到很大的抑制。通过比较有纳米棒和没有纳米棒的氧化锌薄膜在镀金纳米颗粒前后的发光特性,发现金表面等离激元对氧化锌发光的调控取决于氧化锌的表面形貌,纳米棒的存在更有利于金纳米颗粒等离激元调控氧化锌的发光特性。; 张杨李学红彭成晓; 关键词：表面等离激元

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彭成晓