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宋志成

作品数:7 被引量:4H指数:1
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程

主题

  • 5篇电池
  • 5篇硅薄膜
  • 4篇衬底
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇非晶硅
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层太阳能电...
  • 2篇亚胺
  • 2篇柔性衬底
  • 2篇太阳电池
  • 2篇酰亚胺
  • 2篇聚酰亚胺
  • 2篇卷曲
  • 2篇光电转换
  • 2篇光电转换效率
  • 2篇光谱响应
  • 2篇薄膜太阳电池
  • 2篇玻璃衬底
  • 2篇材料组合
  • 1篇钝化

机构

  • 6篇华中科技大学

作者

  • 6篇宋志成
  • 5篇曾祥斌
  • 4篇赵伯芳
  • 4篇曾瑜
  • 4篇王慧娟
  • 2篇陈宇
  • 2篇陆晶晶
  • 1篇宋佩珂
  • 1篇王慧娟

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2010
  • 4篇2009
7 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法
本发明涉及一种柔性非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法,所选用的柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜)。其主要工艺步骤为:(1)清洗柔性衬底(PI膜);(2)预烘PI膜;(3)制备Al背电极;(4)制备ZnO薄膜缓冲层;(5)利用P...
曾祥斌赵伯芳王慧娟陈宇宋志成曾瑜
文献传递
一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法
本发明涉及一种柔性非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法,所选用的柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜)。其主要工艺步骤为:(1)清洗柔性衬底(PI膜);(2)预烘PI膜;(3)制备Al背电极;(4)制备ZnO薄膜缓冲层;(5)利用P...
曾祥斌赵伯芳王慧娟陈宇宋志成曾瑜
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HIT太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究被引量:4
2009年
对用于HIT太阳电池的单晶硅要求有良好的界面特性,而且要求单晶硅衬底的厚度比较薄。采用各向异性腐蚀的方法制得了具有绒面结构的单晶硅衬底。腐蚀时间为40 min时,能够得到表面反射率最低的界面,平均反射率为10.9%,同时也具有规则的金字塔结构,且厚度满足制作HIT太阳电池的要求,在250μm左右。还研究了用各向同性腐蚀的方法来减薄硅片,具有较高的腐蚀速率。
曾祥斌宋志成宋佩珂王慧娟
关键词:HIT各向异性腐蚀
具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究
Heterojunction with Intrinsic Thin-layer /(HIT/)结构使得在低温工艺下制备高性能的太阳能电池成为可能,是目前太阳能电池领域的研究热点。 本文从HIT电池的效率损失...
宋志成
关键词:氢化非晶硅薄膜
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一种非晶硅叠层太阳能电池制备方法
本发明涉及一种非晶硅叠层薄膜太阳能电池的制备工艺,该电池采用“玻璃衬底/TCO(透明导电薄膜)/顶层PIN非晶硅薄膜/第二层PIN非晶硅薄膜/第三层PIN非晶硅薄膜/Al底电极”结构的太阳能电池模型。其主要工艺步骤为:(...
曾祥斌赵伯芳王慧娟宋志成陆晶晶曾瑜
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一种非晶硅叠层太阳能电池制备方法
本发明涉及一种非晶硅叠层薄膜太阳能电池的制备工艺,该电池采用“玻璃衬底/TCO(透明导电薄膜)/顶层PIN非晶硅薄膜/第二层PIN非晶硅薄膜/第三层PIN非晶硅薄膜/Al底电极”结构的太阳能电池模型。其主要工艺步骤为:(...
曾祥斌赵伯芳王慧娟宋志成陆晶晶曾瑜
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共1页<1>
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