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吴宫莲

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:哈尔滨理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电子性质
  • 2篇密度泛函
  • 2篇密度泛函理论
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇泛函
  • 2篇泛函理论
  • 2篇BC
  • 2篇掺杂
  • 2篇O
  • 1篇结构和电子性...

机构

  • 2篇哈尔滨理工大...

作者

  • 2篇吴宫莲
  • 1篇刘波
  • 1篇薛子成
  • 1篇孙苗
  • 1篇张桂玲
  • 1篇张辉

传媒

  • 1篇东北林业大学...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
O掺杂BC_2N纳米管结构稳定性和电子性质的理论研究
硼-碳-氮纳米管是非纯碳纳米管研究的热点课题之一。在众多硼-碳-氮纳米管体系中,BC_2N纳米管作为最稳定的构型近年来受到人们的关注。然而,由于目前BC_2N纳米管的研究体系尚未得到完善,而关于掺杂BC_2N纳米管的研究...
吴宫莲
关键词:密度泛函理论
文献传递
氧掺杂(9,0)型BC_2N纳米管的电子结构与性质
2013年
基于密度泛函理论的第一性原理方法,对单个氧原子(O)化学置换掺杂在锯齿形(zigzag)(9,0)BC2N NTs进行了研究。结果显示O掺杂在B位(OB)和第二个C位(OCII)时,结构发生很明显的形变;而在ON和OCI掺杂BC2N纳米管的情况下,产生的形变几乎可以忽略。形成能的研究结果表明,ON掺杂的体系在B-rich的条件下是最为稳定的。OB掺杂(9,0)BC2N NTs的电子能带结构表明其显示受体的性质,而ON掺杂(9,0)BC2NNTs的导带位于Fermi能级处显示金属的性质。对于OC掺杂(9,0)BC2N NTs的情况,OCI和OCII掺杂(9,0)BC2NNTs分别为间接带隙半导体和直接带隙半导体。
孙苗薛子成吴宫莲张辉张桂玲刘波
关键词:密度泛函理论结构和电子性质
共1页<1>
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