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黄灿

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:中国科学院上海应用物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:化学工程核科学技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇氧化硅
  • 2篇重离子
  • 2篇硅玻璃
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇二氧化硅玻璃
  • 2篇高能
  • 2篇高能重离子
  • 1篇乙烯
  • 1篇微观结构
  • 1篇小角X射线散...
  • 1篇离子
  • 1篇蒙特卡罗模拟
  • 1篇晶体
  • 1篇聚乙烯
  • 1篇积分不变量
  • 1篇辐照缺陷
  • 1篇高密度聚乙烯
  • 1篇不变量

机构

  • 4篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇黄河水利职业...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 4篇朱智勇
  • 4篇黄灿
  • 3篇马明旺
  • 3篇陈西良
  • 3篇杨康
  • 2篇刘丹
  • 2篇海洋
  • 2篇杨小敏
  • 1篇张增艳
  • 1篇柳义
  • 1篇刘崎
  • 1篇林俊
  • 1篇赵红卫

传媒

  • 1篇核技术
  • 1篇高分子材料科...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
高能重离子辐照二氧化硅玻璃产生E'心的机理研究
室温下用电子顺磁共振技术对1.157 GeV Fe和1.755 GeV Xe离子辐照的二氧化硅玻璃进行了测量分析,研究了高能重离子辐照产生E′心的规律。测量结果显示,随着离子剂量的增加,E′心的数量逐渐增大并在高剂量时趋...
马明旺陈西良杨小敏杨康刘丹黄灿朱智勇
关键词:二氧化硅玻璃高能重离子
文献传递
离子辐照缺陷对太赫兹波发射性能的影响
2014年
应用半经典的蒙特卡罗方法,模拟计算了处于不同缺陷条件下的砷化镓在超快激光激发下的载流子输运行为及其相应的太赫兹波发射性能。计算结果表明,缺陷的类型和浓度都会对太赫兹波的脉宽和峰高产生显著的影响。分别采用500 keV和1.5 MeV的氮离子在不同剂量下辐照了半绝缘的砷化镓和掺铁磷化铟样品,并将辐照样品制备成太赫兹波发射天线。通过对辐照样品的太赫兹波发射能力进行测量,发现不同辐照条件下制备的太赫兹发射天线其太赫兹波的脉宽基本一致,只有峰高随辐照产生的缺陷浓度增大呈现先增大后减小的变化。结合理论计算和实验测量结果,分析讨论了光电导材料太赫兹波发射的缺陷机制。
黄灿杨康马明旺海洋张增艳赵红卫朱智勇
关键词:蒙特卡罗模拟
高能重离子辐照二氧化硅玻璃产生E′心的机理研究
下用电子顺磁共振技术对1.157 GeV 56Fe 和1.755 GeV 136Xe 离子辐照的二氧化硅玻璃进行了测量分析,研究了高能重离子辐照产生E′心的规律.测量结果显示,随着离子剂量的增加,E′心的数量逐渐增大并在...
马明旺陈西良杨小敏杨康刘丹黄灿朱智勇
关键词:二氧化硅玻璃高能重离子
小角X射线散射法测定高密度聚乙烯微观结构随温度的变化被引量:5
2015年
利用同步辐射装置在不同温度下对高密度聚乙烯(HDPE)进行小角X射线散射测量,并通过对散射数据的洛伦兹(Lorentz)变换、一维相关函数和积分不变量的分析,研究HDPE的片晶结构随温度的变化规律。研究结果表明,在100℃以下时,HDPE的长周期结构不随温度发生变化,但片晶内部非晶区厚度略有增加而晶区厚度略有减小,相应的线性结晶度由30℃的79%减小到100℃时的74%。当温度升至110℃以上时,随着温度的升高,晶区、非晶区和片晶的尺寸均明显增大。当温度升至110℃以上时,随着片晶的熔化,片晶份额的减小导致散射强度降低。实验确定120℃时的片晶份额是原有的95%左右,而在130℃时,片晶份额仅剩余61%。
海洋柳义陈西良黄灿刘崎林俊朱智勇
关键词:小角X射线散射高密度聚乙烯积分不变量
共1页<1>
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