施浩良
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：湖南大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术更多>>
- 碳热还原法制备超细ZrB_2/SiC复合陶瓷粉被引量：6
- 2011年
- 以ZrO_2、硼酸、硅溶胶和炭黑为原料于1300～1700℃用碳热还原法合成了超细ZrB_2/SiC复合陶瓷粉;用XRD和SEM等研究了合成温度、反应物配比等对复合粉体物相组成、微观形貌和粒径的影响。结果表明:当原料中硼酸过量(ZrO_2与B_2O_3物质的量比为1:1.5)才能保证在1650℃下保温1h时碳热还原反应完全进行,得到高纯的ZrB_2/SiC复合陶瓷粉体,其颗粒平均尺寸为0.4μm;不同温度制备的复合粉体颗粒形貌不同,随着温度的升高,晶须和棒状颗粒减少,而球形颗粒增多。
- 施浩良肖汉宁高朋召胡继林李青
- 关键词：SICZRB2复合粉碳热还原法
- ZrB2/SiC复合粉末制备及其烧结性能研究
- SiC陶瓷的致命弱点是脆性，且室温强度较低，使其应用受到一定的限制。二硼化锆(ZrB2)具有高熔点、高硬度、导电导热性好等优异性能，是一种引人注目的超高温结构陶瓷材料。以ZrB2作为第二相粒子添加到SiC陶瓷材料中，可以...
- 施浩良
- 关键词：碳热还原常压烧结复相陶瓷烧结性能
- 文献传递
- 碳热还原法合成TiB_2-SiC复合粉末及其机理分析被引量：3
- 2012年
- 以硅溶胶、炭黑、TiO2和B4C为原料,采用碳热还原法合成TiB2-SiC复合粉末.研究了反应温度、TiO2添加量对合成TiB2-SiC复合粉末的物相组成和显微形貌的影响;对反应过程进行了热力学分析和计算,并探讨了TiB2-SiC复合粉末的生长机理.结果表明:TiB2-SiC复合粉末适宜的合成条件为在1 600℃保温1h.在反应过程中,TiB2先于SiC生成,TiB2的生成改变了SiC的生长方式.当复合粉末中TiB2的质量分数为10%左右时,SiC的合成过程由气-固(V-S)反应转变为气-固(V-S)和气-气(V-V)共同反应,复合粉末主要由少量球状颗粒、短棒状颗粒以及大量的晶须组成.当体系中生成的TiB2质量分数(≥20%左右)较大时,生成的晶须数量减少,同时球状、片状和短棒状等结构颗粒明显增多,出现多样化结构并存的现象,SiC的生长仍然由V-S反应和V-V反应共同控制.
- 胡继林肖汉宁李青郭文明高朋召施浩良
- 关键词：碳热还原法复合粉末
- TiB_2-SiC复合粉末的碳热还原法合成及其表征被引量：1
- 2011年
- 以TiO2、B4C、炭黑和硅溶胶为原料,采用碳热还原法合成了TiB2-SiC超细复合粉末。对碳热还原反应过程进行了热力学分析和计算,采用XRD和SEM等研究了反应温度对合成TiB2-SiC复合粉末的物相组成和显微形貌的影响,并对合成的TiB2-SiC复合粉末的氧化性能进行了探讨。结果表明:TiB2-SiC复合粉末合成的适宜条件为在1600℃保温1 h。在反应过程中,TiB2先于SiC形成,所合成的复合粉末由球状、片状、短棒状颗粒以及晶须等多样化结构组成。TiB2-SiC复合粉末的氧化过程中,首先是TiB2优先与氧发生反应生成TiO2和B2O3,然后是SiC与氧反应生成SiO2和CO,氧化产物中没有发现低熔点B2O3的存在。
- 胡继林刘鑫郭文明施浩良徐秀华
- 关键词：复合粉末碳热还原法
