戴风伟
- 作品数：39 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 硅通孔转接板及其制造方法、2.5D集成模组及其制造方法
- 本发明公开了一种硅通孔转接板及其制造方法、2.5D集成模组及其制造方法，该硅通孔转接板的制造方法中载片的Si O<Sub>2</Sub>层与硅通孔接触，形成Cu‑SiO<Sub>2</Sub>混合键合界面，用来代替临时键...
- 李雨兴戴风伟刘丰满王启东
- 一种采用转移法制作碳纳米管柔性微凸点的方法
- 本发明揭示了一种用于微电子封装中的碳纳米管柔性凸点的制作方法。本发明中碳纳米管柔性凸点的制作方法是通过低温转移的方式把生长在其它基底上的碳纳米管束经过致密化处理后移植到半导体基底上制作成柔性微凸点。由于碳纳米管束具有一定...
- 戴风伟曹立强周静
- 文献传递
- 一种把金属材料插入玻璃的方法及装置
- 本发明公开了一种把金属材料插入玻璃以制造玻璃转接板的方法，以及实施该方法的装置。所述方法加热玻璃板的某一微区以使其软化，同时把金属材料插入到该软化的微区中一定深度，由此实现一种无需打孔而直接实现金属填充玻璃基板的方法。本...
- 于大全戴风伟李宝霞
- 文献传递
- 集成硅基转接板的PDN供电分析
- 2024年
- 集成硅转接板的2.5D/3D封装是实现Chiplet技术的重要封装方案。总结了传统电源分配网络(PDN)的供电机理,分析了先进封装下PDN存在的直流压降过大、路径电阻大等电源完整性问题,介绍了针对硅基转接板上PDN的等效电路建模方法,重点概述了2.5D/3D封装下PDN的建模与优化。通过将整块的大尺寸硅桥拆分为多个小硅桥、硅桥集成硅通孔(TSV)、增加TSV数量等方式减少电源噪声。最后,对比采用不同集成方案的DC-DC电源管理模块的PDN性能,结果表明,片上集成方案在交流阻抗、电源噪声以及直流压降等指标上都优于传统的基板集成方案,是3D Chiplet中具有潜力的供电方案。
- 何慧敏廖成意刘丰满戴风伟戴风伟
- 一种三维互连结构
- 本实用新型提供了一种三维互连结构，其半导体衬底包括相对的正面和背面；所述半导体衬底上具有贯穿正面和背面的梯形孔，所述梯形孔在所述半导体衬底正面的开口大于在所述半导体衬底背面的开口。通过在梯形孔斜面上方形成正面金属布线层，...
- 李君曹立强戴风伟
- 文献传递
- 一种在转接板上实现电绝缘的方法
- 本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材...
- 戴风伟于大全周静
- 芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法
- 本发明提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括基底布线层、第一芯片、散热盖、第一散热胶层、封装模块和焊球，第一芯片的正面贴设在基底布线层的一侧；散热盖设置在基底布线层上；第...
- 徐玉鹏戴风伟简志宏钟磊
- TSV转接板空腔金属化与再布线层一体成型技术被引量：1
- 2020年
- 为满足射频微波应用的需求并实现三维异质集成,提出了一种带有大尺寸空腔结构的硅通孔(TSV)转接板,研究了其空腔金属化与表面金属再布线层(RDL)一体成型技术。首先,刻蚀空腔并整面沉积一层2μm厚的SiO2;然后,在不损伤其他部分绝缘层的条件下,通过干法刻蚀完成TSV背面SiO2刻蚀;最后,通过整面电镀实现空腔金属化和RDL一体成型,并通过金属反向刻蚀形成RDL。重点研究了对TSV背面SiO2刻蚀时对空腔拐角的保护方法,以及在形成表面RDL时对空腔侧壁金属层的保护方法。最终获得了带有120μm深空腔的TSV转接板样品,其中空腔侧壁和表面RDL的金属层厚度均为8μm。
- 曹睿戴风伟陈立军周云燕周云燕
- 一种三维堆叠集成器件及其直接混合键合工艺
- 本发明公开了一种三维堆叠集成器件及其直接混合键合工艺，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的工艺流程实现芯片至晶圆直接混合键合的问题。该工艺为在待划片晶圆正面涂覆保护胶层，加热固化；对待划片晶圆进行一...
- 丁飞戴风伟王启东曹立强
- 高密度衬底叠层封装结构和封装方法
- 本申请提供的一种高密度衬底叠层封装结构和封装方法，涉及半导体封装技术领域。该高密度衬底叠层封装结构包括第一芯片、导电线弧、第一塑封体和第一介质层。第一芯片具有第一焊盘。导电线弧的两端连接于同一第一焊盘。第一塑封体包覆第一...
- 何正鸿戴风伟简志宏田旭
