张天红
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学物理电子学院应用物理系更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响被引量：2
- 2010年
- 采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜(SEM)研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱(PL)和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化.结果显示,700℃随退火温度的升高,薄膜厚度变小,而700℃以后,随退火温度的升高薄膜厚度变大.光吸收显示,随退火温度的升高,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低,光学带宽发生蓝移,700℃以后,随退火温度身高,光吸收有一定的升高,光学带宽发生红移.光致发光显示,随退火温度的升高,ZnS薄膜与深能级缺陷相关的发光带(DLE)增强,700℃后薄膜,随退火温度的升高,DLE减弱.
- 张天红薛书文苏海桥袁兆林陈猛祖小涛
- 关键词：ZNS薄膜SEM光致发光退火
- ZnS光电薄膜的制备及掺杂对其性能的影响
- 本文采用真空蒸发法在石英玻璃上沉积了ZnS薄膜,并利用原子力显微镜/(AFM/)和扫描电子显微镜/(SEM/)对制备的薄膜进行了表面结构和断面情况的观测,同时测量了薄膜的吸收透射谱和光致发光谱。观测结果显示,实验制备的Z...
- 张天红
- 关键词：ZNS薄膜退火掺杂
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