郑江海
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：漳州师范学院物理与电子信息工程系更多>>
- 发文基金：福建省科技计划项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 步进1V的30-36 V的开关稳压直流电源
- 在15V至21V范围的交流电压经整流滤波得到约29V的直流电，采用DC-DC互感推挽式升压变换器变换后，得到30～36V的输出电压。通过UC3525为核心元件的脉宽调制电路使输出电压稳定在预设值，可调步进为1V。工作效率...
- 朱笑花郑江海
- 关键词：过流保护整流滤波脉宽调制电路
- 文献传递
- GaN半导体中InN量子点的结构性质(英文)被引量：4
- 2007年
- 采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统,并模拟分析电子结构。从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一,说明量子点的限域效应存在着各向异性的特点。c轴极化方向引起量子点结构带边的弯曲形状与传统的量子阱结构不同,使得电子空穴没有发生空间分离,有利于电子空穴的跃迁几率的提高。
- 陈珊珊郑江海李书平康俊勇
- 关键词：量子点量子限域效应电子态密度
- GaN/InGaN应变层临界厚度的计算被引量：1
- 2009年
- 本文主要借鉴PB模型、Fisher模型和Μatthews模型并通过优化其中的组分和滑移间距参数,考虑影响临界厚度的相关因素,对GaN/InGaN异质结应变层临界厚度进行理论计算,再结合实验值进行比较分析,发现PB模型比较能准确估计GaN/InGaN异质结应变层临界厚度.最后进一步考虑热应力对临界厚度的影响时,发现对其影响不大.
- 郑江海
- 关键词：异质结应变层
- InGaN中相分离及其抑制的研究
- InGaN半导体的带隙基本上覆盖了整个可见光波段，还包含了部分红外波段，在光电器件和光存储器件方面都有着广泛的应用。目前，影响其未来发展的几个难题，包括晶体质量、发光机制和相分离现象，深受大家的关注并需要迫切解决。本论文...
- 郑江海
- 关键词：亚稳态分解抑制方法
- 文献传递
- 基于AT89C51 PWM驱动电路遥控小车的研究被引量：6
- 2008年
- TX-2B编码的控制按键基带信号经ASK振幅键控后由30 MHz的载波发射,通过超再生接收电路再由RX-2B解码后,无线信号转化为数字脉冲信号并输入到AT89C51。从而控制单片机输出PWM信号,控制功率管驱动电路,配合直流电动机及现有玩具小车机械传动装置,实现遥控电动玩具车的前进、后退、加速、左右转等功能。
- 郑江海林钧峰陈育群
- 关键词：遥控小车
