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杨炳德

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第二十七研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 3篇重频
  • 2篇一体化
  • 2篇增益
  • 2篇振荡器
  • 2篇石英晶体
  • 2篇石英晶体振荡...
  • 2篇驱动芯片
  • 2篇自动增益
  • 2篇系统接口
  • 2篇芯片
  • 2篇接口
  • 2篇晶体振荡
  • 2篇晶体振荡器
  • 2篇激光测距
  • 2篇激光测距机
  • 2篇高重频
  • 2篇分机
  • 2篇本振
  • 2篇测距

机构

  • 9篇中国电子科技...

作者

  • 9篇杨炳德
  • 4篇邓全
  • 3篇马京川
  • 3篇阮友田
  • 3篇吴登喜
  • 3篇李丽
  • 3篇张弛
  • 2篇韩春生
  • 2篇范杰平
  • 2篇董光焰
  • 2篇彭凤超
  • 2篇李番
  • 2篇吴淦华
  • 2篇胡永钊
  • 2篇韩文杰
  • 2篇魏龙超
  • 2篇左向科
  • 2篇裴瑞广
  • 2篇杜改丽
  • 2篇姚永庆

传媒

  • 1篇电光系统

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 4篇2014
  • 1篇2009
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种便携式激光通信机
本实用新型公开了一种便携式激光通信机，包括防雨壳体，壳体底面设有支座，支座连接支架，壳体上设有激光发射孔、激光接收孔和两个观瞄孔；壳体内部设有信息输送模块，信息输送模块连接信息处理模块的通信端，信息处理模块的信号输出端连...
胡永钊董光焰魏龙超阮友田范杰平杨炳德辛玉军李卫森姚永庆彭凤超陈静韩文杰薛佩瑶夏慧宁胡亮
文献传递
一种激光测距机终端模块
本发明公开了一种激光测距机终端模块，包括微处理器、复位芯片、光耦隔离驱动芯片和石英晶体振荡器，所述终端模块通过光耦隔离驱动芯片连接激励源发射机，微处理器的自动增益输出端连接接收分机的输入端，复位芯片的输出端连接微处理器的...
韩春生马京川裴瑞广李丽杜改丽吴淦华李番邓全左向科杨炳德
文献传递
车载激光雷达
1．本外观设计产品的名称：车载激光雷达。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于激光探测。;3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
姚永庆彭凤超李磊胡永钊李勇董光焰吴登喜司光芙范杰平王治中阮友田韩文杰李丽魏龙超杨炳德孙志磊靳阳明王晶
一种100Hz高重频、大能量DPL激光器
本实用新型公开了一种100Hz高重频、大能量DPL激光器，包括分层设置的本振结构、二级放大结构、三级放大结构和配合上述结构设置的光路折返装置、一体化循环水冷装置、温控调整系统；其中所述的脉冲信号发生机构和本振结构设置在上...
陈南亦窦飞飞吴登喜杨炳德张丽敏吴航徐欢天张弛邓全
开关电源设计中开关管选择方法的研究
2009年
开关管作为开关电源的关键器件，其特性是开关变换器电路设计中很关键的问题。文章分析了开关管的各个参数及这些参数之间的相互关系，给出了这些参数对变换器性能的影响，在此基础上给出了开关管的选择方法。文章还详细给出了在市电输入情况下，不同的电路拓扑和不同的控制方式中，所要选用的开关管的额定电压与额定电流的具体数值，为高效率开关电源设计中开关管的选择提供了有效可行的参考方法。
杨炳德
关键词：开关电源变换器额定电压额定电流
一种100Hz高重频、大能量DPL激光器
本发明公开了一种100Hz高重频、大能量DPL激光器，包括分层设置的本振结构、二级放大结构、三级放大结构和配合上述结构设置的光路折返装置、一体化循环水冷装置、温控调整系统；其中所述的脉冲信号发生机构和本振结构设置在上层，...
陈南亦窦飞飞吴登喜杨炳德张丽敏吴航徐欢天张弛邓全
一种激光测距机终端模块
本实用新型公开了一种激光测距机终端模块，包括微处理器、复位芯片、光耦隔离驱动芯片和石英晶体振荡器，所述终端模块通过光耦隔离驱动芯片连接激励源发射机，微处理器的自动增益输出端连接接收分机的输入端，复位芯片的输出端连接微处理...
韩春生马京川裴瑞广李丽杜改丽吴淦华李番邓全左向科杨炳德
文献传递
一种集控式LED灯组调光系统
本发明提供一种集控式LED灯组调光系统，管理计算机通过主控板向LED灯组上的驱动板发出调光指令；在驱动板上，驱动MCU收到调光指令后发送给脉宽调制及检测模块，脉宽调制及检测模块将所述调光指令转换成PWM信号，并基于所述P...
周军华杨炳德雷飚韩树科范海震贾爱琴王艺史会丽李强张长江
文献传递
一种超高重频大功率激光光源
本实用新型的目的是提供一种超高重频大功率激光光源，用于获得超高频大功率半导体激光器，包括输入高压HV，充电限流电阻R1、脉冲电流限流电阻R2、储能电容C1、钳位二极管D1、半导体激光器D2、控制开关K、负载半导体二极管L...
马京川陈南亦朱国利王灿召阮友田杨炳德牛群王素青李发丹张弛张兵
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