张兴良
- 作品数：7 被引量：19H指数：2
- 供职机构：武汉理工大学材料科学与工程学院硅酸盐材料工程教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：武汉市科技攻关计划项目中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 场致铝诱导低温快速晶化非晶硅薄膜
- 2010年
- 以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜。在外加横向电场的条件下,利用快速热处理炉对薄膜样品进行退火,成功地把非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜。该文研究了不同外加电场强度条件下对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌进行了表征。实验结果表明,外加电场可以明显地降低退火温度,缩短退火时间,退火温度为500℃时,薄膜开始晶化。且随着外加电场强度的加大,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大。
- 夏冬林王慧芳石正忠张兴良
- 关键词：非晶硅薄膜多晶硅薄膜金属诱导晶化等离子体增强化学气相沉积
- 硫化温度对CuInS_2薄膜微结构和光学性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征。结果表明,Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜,并具有(112)面的择优取向,所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm,光学带隙为1.51eV。
- 夏冬林刘俊张兴良赵修建
- 关键词：磁控溅射硫化微观结构光学带隙
- 太阳能电池CuInS<,2>薄膜和ZnS薄膜的制备与性能研究
- CuInS2(CIS)作为一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2型无机三元半导体化合物，是直接带隙的半导体，吸收系数较大，大约为104-105 cm-1，其光学禁带宽度为1.50 eV左右，非常接近太阳能电池材料的最佳禁带宽度1.45 eV。...
- 张兴良
- 关键词：磁控溅射太阳能电池
- 文献传递
- 电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜被引量：5
- 2010年
- 以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉中,在外加电场辅助条件下,在氮气气氛下对薄膜样品进行退火制备多晶硅薄膜。本论文研究了不同外加电场强度和退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM和Raman等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌和晶化程度进行了表征。实验结果表明,在外加横向电场辅助铝诱导晶化的条件下,非晶硅薄膜在500℃低温下成功地转化成多晶硅薄膜,并且随着横向电场强度的增大以及退火时间的延长,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大。
- 夏冬林王慧芳石正忠张兴良李蔚
- 关键词：非晶硅薄膜多晶硅薄膜金属诱导晶化等离子体增强化学气相沉积
- 掺硼p型非晶硅薄膜的制备及光学性能的表征被引量：2
- 2010年
- 以高氢稀释的硅烷(Si H4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性能的影响.利用NKD-7000 W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱和反射谱,并利用该系统的软件拟合得出薄膜的折射率、消光系数、吸收系数等光学性能参数,利用Tauc法计算掺硼的非晶硅薄膜的光学带隙.实验结果表明,随着硼掺杂量的增加,掺杂非晶硅薄膜样品在同一波长处的折射率先增大后减小,而且每一样品均随着入射光波长的增加而减小,在波长500 nm处的折射率均达到4.3以上;薄膜的消光系数和吸收系数随着硼掺杂量的增大而增大,在500 nm处的吸收系数可高达1.5×105cm-1.在实验的硼掺杂范围内,光学带隙从1.81 eV变化到1.71 eV.
- 夏冬林王慧芳石正忠张兴良刘俊
- 关键词：非晶硅薄膜消光系数光学带隙
- CuInS_2薄膜的溶胶-凝胶法制备与性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法,以CuCl2.2H2O和InCl3.4H2O为阳离子反应物,硫脲为硫源,去离子水为溶剂在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜,在Ar气氛条件下400℃退火1 h。利用XRD衍射仪、扫描电子显微镜、NKD-7000 W光学薄膜分析系统等现代测试手段,研究了不同反应物Cu/In/S摩尔比对薄膜的晶相结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明：所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,沿（112）面择优取向生长。反应物Cu/In/S摩尔配比为1.5∶1∶6所生长的CuInS2薄膜晶粒尺寸分布均匀,表面平整致密。CuInS2薄膜的光学带隙宽度在1.97~2.05 eV范围内变化。
- 夏冬林张兴良宋明霞石正忠王慧芳刘俊
- 关键词：溶胶-凝胶法晶体结构表面形貌光学性能
- 热处理对电沉积制备ZnS薄膜物相组成及光学性能的影响被引量：8
- 2010年
- 采用电沉积方法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对薄膜的微结构和光学性能进行了表征,研究了热处理条件对薄膜的相组成和光学性能的影响。结果表明:电沉积制备的ZnS薄膜呈非晶态,并且含有单质Zn。硫化热处理可以改善薄膜的结晶状况,减少杂质Zn的含量。硫气氛中450℃热处理4 h之后,薄膜中单质Zn全部反应生产ZnS,得到了纯的ZnS薄膜。没有经过热处理的薄膜,其可见光透射率在70%左右,热处理后薄膜样品的透射率降低,在硫气氛中热处理4 h的样品,其可见光透射率最低,为50%左右,热处理条件对薄膜样品的禁带宽度值基本没有影响。
- 夏冬林石正忠张兴良王慧芳刘俊
- 关键词：ZNS薄膜电沉积光学性能
