张丽伟
- 作品数：38 被引量：133H指数：7
- 供职机构：新乡学院物理与电子工程系更多>>
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- 相关领域：理学电子电信电气工程文化科学更多>>
- 非晶硅(a-Si:H)薄膜自然衰减和中温光退火的研究
- 2005年
- 通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 min,750℃下2 min,850℃下1 min;850℃下1 min,850℃下2 min,850℃下5 min,850℃下10 min分别用卤钨灯光照退火,发现850℃下5 min已经充分结晶.
- 靳锐敏卢景霄扬仕娥王海燕张丽伟冯团辉
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜自然衰减
- 高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或团簇随着沉积气压的下降而增大,薄膜的粗糙度随着沉积气压的升高而降低。
- 杨根张丽伟卢景霄谷锦华陈永生文书堂汪昌州王子健
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜微观结构
- 常规退火与光退火固相晶化的对比被引量：5
- 2005年
- 为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-S i:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5m in,然后用Ram an、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀。XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右。
- 靳锐敏卢景霄王海燕张丽伟王生钊刘萍王红娟
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜晶粒大小拉曼光谱XRDSEM
- 物理教学中的大学生“罗文精神”培养
- 2011年
- 针对当前大学生中普遍存在的学习态度消极、学习行为懒散等现象,讨论了以学科知识教学、著名科学家学术成就简介、产品科学原理分析为内容的培养学生"罗文精神"的教学方法问题,认为,教师用学科知识帮助学生树立正确的人生目标,形成正确的人生价值观,正确认识学科知识与社会需求之间的关系,有利于引导学生形成"罗文精神",把自己培养成为社会有用人才.
- 梅欣丽王新昌张丽伟
- 关键词：大学生物理学罗文精神
- 用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜
- 2007年
- 用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。
- 张丽伟李红菊李瑞卢景霄张宇翔王新昌
- 关键词：硅薄膜快速热退火扫描电子显微镜
- 硅太阳电池稳步走向薄膜化被引量：22
- 2006年
- 考察了硅太阳电池在光伏产业中所处的地位,分析了薄膜硅太阳电池的发展趋势。指出硅太阳电池在未来15a仍将保持优势地位,并继续沿着晶硅电池和薄膜硅电池两个方向发展。在此发展过程中,两个发展方向的主流很可能会汇合到一起,共同促使低成本、高效率、高可靠薄膜晶硅电池的诞生和产业化,从而继续保持硅太阳电池的优势地位。
- 卢景霄张宇翔王海燕靳锐敏张丽伟陈永生郜小勇杨仕娥
- 关键词：硅太阳电池
- 高电导率高晶化率P型微晶硅薄膜的制备被引量：1
- 2008年
- 利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜。为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化。Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内,衬底温度是影响薄膜暗电导率和晶化率的最主要因素,其次是氢稀释比,硼烷掺杂比的影响相对较小;(2)通过正交优化,获得了暗电导率为2.05S·cm-1、晶化率为86%的p型微晶硅薄膜。
- 赵尚丽杨仕娥张丽伟陈永生陈庆东卢景霄
- 关键词：晶化率
- AsP(X^1Σ^+)基态的势能函数与光谱常数被引量：1
- 2014年
- 运用多种方法和基组对AsP基态X1Σ+的平衡结构进行优化计算,其中B3LYP/6-311++G(3df,3pd)的计算结果与实验值一致,得出此方法为最优方法.然后选用此方法对其进行谐振频率计算,得到谐振频率ωe=629.820 3 cm-1,并用最小二乘法把扫描的单点能拟合为Murrell-Sorbie函数,由势能函数参数计算与AsP基态X1Σ1相对应的光谱常数,结果与实验数据较为一致.
- 蒋利娟赵红枝梁彦天张丽伟
- 关键词：光谱常数MURRELL-SORBIE函数
- 纠正一幅静电场中的导体的图像
- 1998年
- 纠正一幅静电场中的导体的图像梁彦天张丽伟（新乡师范高等专科学校，４５３０００，新乡；第１作者３９岁，男，副教授）图１静电感应示意图１９８１年高考题第１（４）小题［１］给出一幅静电场中的圆锥形导体上感应电荷分布的图像．如图１所示，我们认为：这幅图像是错...
- 梁彦天张丽伟
- 关键词：电磁学静电场导体点电荷
- VHF-PECVD制备微晶硅薄膜的微结构研究被引量：1
- 2009年
- 用甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了不同沉积时间微晶硅薄膜。用拉曼散射光谱仪、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等表征手段对薄膜的微观结构进行了研究。研究结果表明:随着沉积时间的延长,薄膜呈岛状生长,薄膜晶粒度在微晶核形成后迅速升高并逐渐饱和;其微观结构经历了"非晶相→非晶/微晶混合相→微晶相"的演变过程。本实验制备的微薄膜仍以(111)为优化取向。
- 张丽伟张丽伟余泽通杨根
- 关键词：微晶硅薄膜微观结构微观形貌
