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任萍

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:西安理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电容
  • 2篇变换器
  • 1篇电路
  • 1篇异质结
  • 1篇英文
  • 1篇直流-直流变...
  • 1篇直流变换
  • 1篇直流变换器
  • 1篇拓扑
  • 1篇拓扑结构
  • 1篇晶体管
  • 1篇开关电容DC...
  • 1篇SIC
  • 1篇3C-SIC
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS电路
  • 1篇DC/DC变...
  • 1篇DC/DC变...

机构

  • 3篇西安理工大学

作者

  • 3篇任萍
  • 2篇陈治明
  • 1篇蒲红斌
  • 1篇赵敏玲
  • 1篇王立志

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 3篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
SiCGe/3C-SiC异质结光控达林顿晶体管的设计与仿真(英文)
2006年
针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的I-V特性,饱和压降大约为4V.
陈治明任萍蒲红斌
关键词:SIC异质结达林顿晶体管
并联CMOS改善单片集成开关电容DC-DC变换器的输出特性
本文在对两阶串并组合开关电容(SC)DC-DC变换器的拓扑结构及工作原理进行简单分析的基础上,以采用CMOS工艺设计的一个12V-5VSCDC-DC变换器为例,提出了用易于实现单片集成的并联CMOS方法提高单片集成DC-...
任萍
关键词:直流-直流变换器CMOS电路拓扑结构
文献传递
并联改善单片集成SCDC/DC变换器输出特性
2006年
计算机模拟和实验表明,缩小单元电路的电容,增加并联电路的数量,比在单元电路中采用总容量相等的大电容更有利于输出功率的提高。在变换器主电路上级联稳压器,使得输出电压的纹波小于1%,基本消除输出电压随负载电阻的变化,并且大大降低了滤波电容的值,更有利于实现单片集成。
任萍陈治明赵敏玲王立志
关键词:变换器
共1页<1>
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