赵雪薇
- 作品数：8 被引量：9H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 铜填充硅通孔在热、电条件下的微结构演化及机理研究
- 三维集成电路技术目前被认为是超越摩尔定律，持续实现器件小型化、高密度化、多功能化的首选解决方案。作为三维集成电路封装的核心技术之一，硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术具有非常广阔的发展前景。TS...
- 赵雪薇
- 关键词：集成电路电流密度
- 文献传递
- 一种用于熔融钎料填充硅通孔的装置
- 一种用于熔融钎料填充硅通孔的装置涉及半导体器件制造技术领域。硅通孔的填充技术是三维集成的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是存在成本与可靠性等众多问题，而钎料填充工艺不仅成本低廉且材料本身热膨胀系数适宜，具有研...
- 王娇娇马立民郭福王乙舒冯剑雨赵雪薇齐楚晗
- 文献传递
- 一种用于熔融钎料填充硅通孔的方法
- 一种用于熔融钎料填充硅通孔的方法涉及半导体器件制造技术领域。2.5D/3D集成与系统封装是现在与未来的研发方向。其中，TSV填充工艺被认为是实现三维集成技术的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是铜的成本高且易产...
- 王娇娇马立民郭福王乙舒冯剑雨齐楚晗赵雪薇
- 文献传递
- 微系统集成用倒装芯片工艺技术的发展及趋势被引量：9
- 2019年
- 倒装芯片(Flip Chip,FC)技术是一种应用广泛的集成电路电子封装技术。随着电子产品不断向小型化和多功能化方向升级,尤其是在微系统集成领域飞速发展的驱动下,FC技术也在不断发展以满足细节距和极细节距芯片的封装要求。同时,FC技术也在工业化的过程中追求着性能、成本和封装效率的平衡。将FC封装体分为芯片凸点、基板以及底填充材料三个主要部分,深入讨论了FC封装的主流工艺和新兴工艺,介绍了各个工艺的流程及优缺点。此外,还分析了FC封装体在热、力以及电载荷作用下的可靠性问题。
- 赵雪薇阎璐阎璐邢朝洋朱政强
- 关键词：倒装芯片技术芯片凸点
- 静磁场对Sn58Bi焊点凝固显微组织的影响
- 2014年
- 采用对比分析的方法,观察了Cu/Sn58Bi/Cu和Ni/Sn58Bi/Ni焊点在匀强磁场下的凝固显微组织变化,研究了静磁场对焊点凝固显微组织的影响。结果表明:静磁场条件下,焊点的三明治结构在凝固过程中使界面附近产生明显温度梯度,导致界面附近的显微组织层片间距增大;慢速冷却利于粗大规则的共晶组织形成;Ni基板焊点的界面金属间化合物形成不规则的锯齿状结构。
- 赵雪薇王雁王婧一左勇马立民郭福
- 关键词：静磁场凝固显微组织无铅钎料
- 一种TSV电镀铜填充效果的测试方法
- 一种TSV电镀铜填充效果的测试方法属于材料制备与连接领域。包括步骤1：将化学机械抛光后的TSV晶圆样品切割取样，并将取自晶圆上不同区域的TSV样品置于坩埚中；步骤2：随后将坩埚放入管式炉中，并在管式炉中通入氩气作为保护气...
- 马立民赵雪薇王乙舒郭福
- 文献传递
- 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法
- 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中稀土氧化物为3-10％wt，其余为钨；对其浸渍的阴极发射活性盐中Sc<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>重量含量...
- 王金淑刘伟杨帆刘祥杨韵斐赵雪薇周美玲左铁镛
- 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法
- 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中稀土氧化物为3-10％wt，其余为钨；对其浸渍的阴极发射活性盐中Sc<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>重量含量...
- 王金淑刘伟杨帆刘祥杨韵斐赵雪薇周美玲左铁镛
- 文献传递
