柯伟青
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：杭州电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金浙江省科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻被引量：6
- 2009年
- 利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜。I-V测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻。
- 季振国黄东席俊华柯伟青周荣富
- 关键词：氧化锌压敏电阻
- 基于氧化锌薄膜的电阻开关特性研究
- 随着集成电路的快速发展,Flash存储器的特征尺寸不断缩小,为了保持集成电路的性能,相应的栅氧化层厚度也不断减小。当氧化层厚度进入nm量级时,电子的隧道穿透效应逐渐显现出来,漏电流急剧增大,从而影响了器件的稳定性和可靠性...
- 柯伟青
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射随机存储器非挥发性
- 文献传递
- 一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法，硅薄膜通过激光脉冲沉积法制作，所用的靶材为硅材料。本方法制作工艺简单，沉积时工件不需加热，所用材料及工艺对环境没有污染，硅薄膜同时兼具耐腐蚀和抗静电两种功能，性能十分稳定。
- 季振国席俊华毛启楠柯伟青
- 文献传递
- 一种基于金属、氧化锌和重掺硅结构的电阻式存储器
- 本发明涉及到一种基于金属、氧化锌和重掺硅结构的电阻式存储器，由N型重掺硅衬底、氧化锌薄膜和金属薄膜电极依次粘附组成，本发明通过采用金属/氧化锌/重掺硅结构作为电阻式随机存储器的存储单元，可以获得良好的电阻转变及记忆特性。...
- 季振国毛启楠柯伟青
- 文献传递
- 利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压被引量：1
- 2010年
- 利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加。I-V特性曲线表明,基于Al/Zn1-xMgxO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节。上述现象表明,Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn1-xMgxO薄膜中电子的本征跃迁有关。
- 季振国张春萍冯丹丹柯伟青毛启楠
- 关键词：阈值电压
