李荣
- 作品数：27 被引量：0H指数：0
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- 电荷存储器的性能对(ZrO2)x(SiO2)1-x组分的依赖
- 采用不同的(ZrO2)x(SiO2)1x薄膜(x=1.0,0.92,0.79,0.63,0.46,0.28,0.17和0.08)作为电荷存储层制备了电荷陷阱闪存器件.研究了存储窗口、数据保持性能及写入/擦除速度等存储性能...
- 汤振杰陆旭兵杨玉鹏张静马东伟李荣张希威胡丹李廷先
- 一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法
- 本发明公开了一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法，利用电子束蒸发沉积系统在硅衬底表面顺序蒸镀隧穿层、存储层、阻挡层和上电极，然后将沉积了薄膜的样品翻转，在硅衬底背面沉积下电极，形成电荷陷阱存储器件。该方法操作简单，薄...
- 汤振杰李荣胡丹
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- 一种溶胶凝胶法制备非易失性存储器件的方法
- 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备非易失性存储器件的方法，首先在Si衬底上旋涂M溶胶，通过烘烤形成M隧穿层，而后在M隧穿层上旋涂ZrO<Sub>2</Sub>溶胶，通过烘烤形成ZrO<Sub>2</Sub>存储层，紧接着在Z...
- 汤振杰李荣张希威
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- 一种退火处理形成电荷存储结构的方法
- 本发明公开了一种退火处理形成电荷存储结构的方法，通过退火过程，借助单层多组元金属氧化物(M)<Sub>x</Sub>(N)<Sub>1‑x</Sub>薄膜退火过程中低结晶温度M析晶、扩散和重新分布的特点，自发形成富N的(...
- 汤振杰李荣胡丹
- 文献传递
- 基于带隙调控的新型电荷陷阱型存储器、其制备方法及应用
- 本发明公开了一种基于带隙调控的新型电荷陷阱型存储器件的制备方法，利用带隙调控的(ZrO<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>(Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub>1-x</Sub...
- 汤振杰李荣
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- ZrO_2纳米晶尺寸及密度对电荷存储器件性能的影响
- 2013年
- 利用脉冲激光沉积方法制备了ZrO2纳米晶基电荷俘获型存储器件,并系统研究了纳米晶尺寸及密度对器件存储性能的影响。利用高分辨透射电子显微(HRTEM)技术表征了(ZrO2)0.6(SiO2)0.4薄膜的形貌及纳米晶尺寸。研究结果表明60s退火处理的存储器件具有最佳的存储窗口(4.4V)和数据保持能力(～5%)。
- 汤振杰李荣
- 关键词：高介电常数脉冲激光沉积
- 异类叠层基电荷陷阱存储器件的性能研究
- 2023年
- 采用脉冲激光沉积系统制备了Hf_(0.5)Si_(0.5)O_(2)/Zr_(0.3)Si_(0.7)O_(2)异类叠层薄膜基电荷陷阱存储器件。结果表明,经过高温退火处理,异类叠层基电荷陷阱存储器件表现出优异的电荷存储窗口、数据保持能力和瞬时写入/擦除速度。这主要归因于高温退火处理减小了异类叠层存储层中的浅能级缺陷密度,提高了叠层结构的界面陷阱密度,而且叠层结构形成的层间势垒,有效抑制了电子向衬底和电极方向的泄露。
- 汤振杰张希威李荣
- 关键词：脉冲激光沉积存储器
- 一种锥形能带电荷存储结构的制备方法
- 本发明公开了一种利用不同Hf和Si组分的Hf<Sub>x</Sub>Si<Sub>1‑x</Sub>O<Sub>2</Sub>靶材，借助脉冲激光沉积系统，在隧穿层表面依次沉积不同组分的Hf<Sub>x</Sub>Si<S...
- 汤振杰李荣张希威
- 原子层化学气相沉积系统生长(MO<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>(SiO<Sub>2</Sub>)<Sub>1-x</Sub>金属氧化物薄膜的方法
- 本发明公开了一种原子层化学气相沉积系统生长(MO<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>(SiO<Sub>2</Sub>)<Sub>1‑x</Sub>金属氧化物薄膜的方法，通过调节M源和Si源交替重复生长控制薄...
- 李荣汤振杰
- 文献传递
- 基于MATLAB的Huffman编码实验教学平台设计
- 2015年
- 针对Huffman编码实验教学中的有关计算问题,本文利用MATLAB的图形用户界面,设计开发了一个简单实用的实验教学平台。该平台实现了理论和实验相结合,为Huffman编码的实验教学提供了一个有效的工具。
- 李荣
- 关键词：HUFFMAN编码变长码MATLAB应用仿真实验教学
