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张岩龙

作品数:10 被引量:10H指数:2
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 8篇衰减器
  • 6篇相移
  • 4篇附加相移
  • 3篇宽带
  • 3篇硅基
  • 3篇超宽带
  • 2篇带通
  • 2篇电阻
  • 2篇压控
  • 2篇增益
  • 2篇锗硅
  • 2篇数控衰减器
  • 2篇数字衰减器
  • 2篇通信
  • 2篇微波系统
  • 2篇无源
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片面积
  • 2篇开关
  • 2篇开关场

机构

  • 10篇西安电子科技...

作者

  • 10篇张岩龙
  • 9篇庄奕琪
  • 8篇李振荣
  • 7篇曾志斌
  • 7篇李聪
  • 7篇汤华莲
  • 7篇靳刚
  • 6篇张丽
  • 2篇李小明
  • 2篇齐增卫
  • 2篇刘伟峰
  • 2篇任小娇
  • 1篇杜永乾
  • 1篇李红云

传媒

  • 2篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半分布式无源可变衰减器
本发明公开了一种半分布式无源可变衰减器,包括0~7dB分布式衰减模块、8dB衰减模块、16dB衰减模块、输入控制转换模块,采用体端与源极相连结构、带有沟道并联电阻结构,以及堆叠结构的三种开关场效应晶体管作为控制开关,由五...
庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲张丽李聪曾志斌
文献传递
基于压控感性负载的可变增益放大器
本发明公开了一种基于压控感性负载的可变增益放大器,全差分跨导放大器G<Sub>m</Sub>,其正相电压输入端V<Sub>in1</Sub>和负相电压输入端V<Sub>in2</Sub>共同接收输入的电压信号,经全差分跨...
庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲李小明李聪刘伟峰曾志斌
文献传递
低差损低相移高集成度五位步进式超宽带数控衰减器
一种低差损低相移高集成度五位步进式超宽带数控衰减器,基于硅基RF CMOS工艺,由传输线TL0、π型结构的8dB衰减模块、电感L1、T型‑桥T型组合结构的0~7dB组合衰减模块、电感L2、π型结构的16dB衰减模块、传输...
庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲张丽李聪曾志斌
文献传递
面向硅基相控阵的衰减器与锁相环研究
相控阵是一种通过电子技术直接控制发送/接收电磁波束方向的多天线阵列技术。该技术具有高抗干扰能力、高信噪比、快扫描响应速度等诸多优点,在发展的早期广泛应用于军事、空间、天文等尖端领域。随着集成电路制造技术的飞速发展,相控阵...
张岩龙
关键词:相控阵增益控制鲁棒性
低差损低相移高集成度五位步进式超宽带数控衰减器
一种低差损低相移高集成度五位步进式超宽带数控衰减器,基于硅基RF CMOS工艺,由传输线TL0、π型结构的8dB衰减模块、电感L1、T型-桥T型组合结构的0~7dB组合衰减模块、电感L2、π型结构的16dB衰减模块、传输...
庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲张丽李聪曾志斌
文献传递
一种适用于超高频射频识别的温度传感器被引量:3
2014年
设计了一种采用双压控振荡器的适用于超高频射频识别(UHF RFID)应用的温度传感器,可应用于环境温度检测以及物流链中.由于采用了两个结构完全相同的压控振荡器,可以抵消工艺偏差和电源电压变化等因素带来的影响,使输出仅和温度有关.采用了时分工作方式,使电路在检测完温度以后处于关断状态,有效地避免了重复计数的问题,并使该传感器完全不影响整体标签的工作距离.采用SMIC0.18μm 2P4M EEPROM工艺进行流片,测试结果显示,标签读距离达到6m,写距离达到2.5m;在-40℃^+85℃温度范围内,温度测量精度为0.5℃,误差最大不超过±1.5℃.
齐增卫庄奕琪李小明刘伟峰张岩龙任小娇
关键词:超高频射频识别温度传感器温度误差
硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器
本发明公开了一种硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器,包括1dB、2dB、4dB、8dB、16dB五个衰减模块,采用带有沟道并联电阻结构和体悬浮结构的两种锗硅BiCMOS工艺的NMOS场效应晶体管作为控制开关,由五组互补数...
庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲张丽李聪曾志斌
文献传递
半分布式无源可变衰减器
本发明公开了一种半分布式无源可变衰减器,包括0~7dB分布式衰减模块、8dB衰减模块、16dB衰减模块、输入控制转换模块,采用体端与源极相连结构、带有沟道并联电阻结构,以及堆叠结构的三种开关场效应晶体管作为控制开关,由五...
庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲张丽李聪曾志斌
文献传递
硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器
本发明公开了一种硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器,包括1dB、2dB、4dB、8dB、16dB五个衰减模块,采用带有沟道并联电阻结构和体悬浮结构的两种锗硅BiCMOS工艺的NMOS场效应晶体管作为控制开关,由五组互补数...
庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲张丽李聪曾志斌
文献传递
一种5~20GHz低插损低相位误差的CMOS衰减器被引量:5
2015年
设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位CMOS集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过NMOS晶体管开关控制5个独立的衰减模块,在5-20GHz的工作频段范围内实现步长1dB、动态范围0-31dB的信号幅度衰减.其中,串联控制开关管采用体端通过电阻与源极相连的结构,在不增加寄生电容的前提下,降低导通电阻;并联控制开关采用体端交流悬浮结构,以提高整体衰减器的线性度.较大衰减量的衰减模块采用电感进行补偿,以减小附加相移.仿真结果显示,该衰减器插入损耗最小为6.1dB,最大为12.6dB,各状态衰减量均方根小于0.5dB,附加相移均方根小于3.4°,中心频率处1dB压缩点为14.13dBm.
张岩龙庄奕琪李振荣任小娇齐增卫杜永乾李红云
关键词:衰减器CMOS开关
共1页<1>
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