高海军
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
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- 2.645GHz正交本振产生电路
- 2009年
- 介绍了一个基于0．25μmCMOS工艺的2．645GHz正交本振产生电路。该电路由LC-压控振荡器，高频缓冲放大器和二阶无源多相滤波器组成。差分高频缓冲放大器采用电流复用技术降低功耗；同时，这种电路结构只需一组LC谐振网络作负载，可以大大减小芯片面积。为了提高正交信号的匹配精度，提出一种新的二阶无源多相滤波器的版图布局；这种布局实现了器件之间的精确匹配，减小了寄生电容和电阻。测试结果显示，VCO振荡范围为2．46～2．78GHz；在输出频率为2．645GHz时的相位噪声为-120dBc／Hz@1MHz；当二阶无源多相滤波器的输出幅度为0．86dBm时，高频放大器消耗的电流仅为5mA。测试得到I／Q四路的最大幅度失配为1．1％，后仿真的相位误差为0．6°。
- 高海军阴亚东郭桂良杜占坤阎跃鹏
- 关键词：压控振荡器电流复用
- 基于CMMB标准的自校正CMOS椭圆低通Gm-C滤波器被引量：1
- 2009年
- 提出了一种基于CMMB(中国移动多媒体广播)标准的9阶椭圆函数Gm-C滤波器结构.该滤波器截止频率为3.75MHz,通带波纹小于1dB,过渡带宽500kHz,在4.25MHz处衰减达40dB以上,功耗为7mW.采用0.25μmCMOS工艺,在自动校正电路的作用下,该滤波器在工艺偏差(温度在-40～90℃变化以及±10%的电源电压偏差)的情况下也能保持良好的性能,截止频率偏差不超过1%,临近信道抑制超过40dB.
- 朱思奇杨洪文易青高海军郭桂良阎跃鹏
- 关键词：CMMBGM-C滤波器
- 一种低噪声、高增益的直接下变频混频器被引量：1
- 2009年
- 针对零中频接收机的应用,提出了一种低噪声、高增益的直接下变频混频器,并用0.25μmCMOS工艺实现。这种混频器结构采用电流复用注入技术,并且在开关管的共源端并联了一个谐振电感。电流复用注入提高了转换增益;谐振电感消除了共源端的寄生电容,抑制了射频信号的泄漏,减小了由间接开关机理产生的闪烁噪声。仿真得到这个混频器输出1/f噪声的拐点频率小于100kHz。在2.645GHz的射频输入下,测试得到的转换增益为15.5dB,输入三阶交调点为-3.8dBm,在中频1M处的单边带噪声系数为9.2dB。
- 高海军郭桂良阴亚东杜占坤阎跃鹏
- 关键词：混频器闪烁噪声直接下变频电流注入
- 一种高分辨率∑△小数分频频率合成器被引量：1
- 2009年
- 提出了一种采用新型分频器的小数分频频率合成器。该频率合成器与传统的小数分频频率合成器相比具有稳定时间快、工作频率高和频率分辨率高的优点。设计基于TSMC0.25μm2.5V1P5MCMOS工艺,采用sig-ma-delta调制的方法实现。经测量得到该频率合器工作频率在2.400～2.850GHz之间,相位噪声低于-95dBc/Hz@100kHz,最小频率步进小于30Hz,开关时间小于50μs,满足多数无线通信系统的要求。
- 郭桂良杜占坤高海军杨洪文易青朱思奇阎跃鹏
- 关键词：∑-△调制器小数分频频率合成器噪声整形分频器
- 基于Simulink的∑△小数N频率综合器行为级仿真被引量：1
- 2008年
- 快速有效的频率综合器系统级仿真可对∑△小数N频率综合器的设计实现提供有效的帮助.在分析小数N频率综合器的基础上,建立了完整的Simulink电路仿真模型,进行快速的准电路级行为仿真,可更好表现频率综合器的时域特性,验证电路结构的正确性.仿真结果表明该方法是简捷有效的.
- 杨洪文高海军郭桂良朱思奇易青阎跃鹏
- 关键词：频率综合器行为级仿真SIMULINK
- U波段小数分频锁相环型频率综合器被引量：2
- 2010年
- 使用0.18μm1.8VCMOS工艺实现了U波段小数分频锁相环型频率综合器,除压控振荡器(VCO)的调谐电感和锁相环路的无源滤波器外,其他模块都集成在片内。锁相环采用了带有开关电容阵列(SCA)的LC-VCO实现了宽频范围,使用3阶MASHΔ-Σ调制技术进行噪声整形降低了带内噪声。测试结果表明,频率综合器频率范围达到650～920MHz;波段内偏离中心频率100kHz处的相位噪声为-82dBc/Hz,1MHz处的相位噪声为-121dBc/Hz;最小频率分辨率为15Hz;在1.8V工作电压下,功耗为22mW。
- 阴亚东郭桂良高海军杜占坤陈杰
- 关键词：频率综合器小数分频锁相环压控振荡器
