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Cu引线框架氧化对功率器件中Cu/EMC界面的影响被引量：3: 2010年; 按照实际制作器件的工艺条件和方法，采用不同的Cu引线框架氧化时间，制备了多组无芯片的封装器件，并打磨Cu／EMC界面的样品。然后对样品进行了剪切实验和界面微观结构观察。剪切实验发现，适当的Cu预氧化时间能有效提高Cu／EMC界面强度。Cu／EMC界面的SEM照片显示。150rain的氧化时间使界面产生了大量不同形状的氧化物颗粒，断裂沿Cu氧化层或EMC过渡层发生，导致界面剪切强度离散。考虑到Cu氧化对Cu／EMC界面的影响及工艺成本，氧化时间范围为165℃下8～12min。; 方行方强王珺俞宏坤邵雪峰; 关键词：功率器件剪切强度

塑封功率器件中Cu/EMC界面分层失效的实验与计算分析研究: 随着电子封装向小型化、高密度发展，功率器件的封装形式也向着小型化、多样化、高集成度发展。功率器件常用于电能变换和电能控制电路中，通常器件中电流为数十至数千安，电压为数百伏以上。由于其高功率应用的特点，功率器件对于封装可靠...; 方行; 关键词：功率器件电子封装环氧模塑料

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方行