张爱民
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：重庆师范大学更多>>
- 发文基金：重庆市教委科研基金重庆市教育委员会科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 直流磁控溅射制备ZnO:Sb薄膜及其光学性能研究
- 氧化锌（ZnO）是一种新型的直接宽禁带化合物半导体材料，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能约为60meV，在室温下易实现高效率的受激发射。由于ZnO在结构、电学和光学等方面有诸多优点，加上ZnO薄膜制作方法的不断...
- 张爱民
- 关键词：氧化锌薄膜直流磁控溅射光学带隙
- 文献传递
- 掺杂ZnO薄膜发光特性的研究进展被引量：1
- 2010年
- ZnO薄膜是一种Ⅱ～Ⅵ族的宽禁带半导体材料,在发光二极管和激光二极管方面极有希望取代GaN材料,成为一种全新的候选材料。通过对薄膜的掺杂,可以获得有望取代现有的氧化铟锡材料的高电导率的透明导电膜,在平板显示器、太阳能电池等光电器件中具有巨大的应用前景。
- 张爱民
- 关键词：掺杂ZNO薄膜光致发光
- 氧浓度对MS法制备的ZnO:Sb薄膜的光学性能影响被引量：2
- 2010年
- 在玻璃衬底上以Zn-Sb合金靶为靶材,采用射频反应磁控溅射法制备出具有良好C轴取向的ZnO:Sb薄膜。用X射线衍射仪、分光光度计和荧光发光光度计等测试手段分析了Sb掺杂ZnO薄膜的晶体结构和光学性质。薄膜在N2气中550℃退火后的X射线衍射谱表明:Sb掺杂ZnO薄膜主要沿ZnO的(002)方向生长,没有检测到其它杂质相的生成。退火前,薄膜的光学带隙随氧浓度的增大而增大,退火后薄膜光学带隙减少。薄膜的室温光致发光谱中有较强的蓝光发射峰,并对蓝光的发射机理作了分析:蓝光(487 nm左右)的发射与锌填隙(Zn i)和锌空位(VZn)缺陷能级有关,还与Sb3+离子提供了相应的蓝光中心有关;蓝光峰(436 nm左右)的发射与锌填隙缺陷能级和氧空位(VO)形成的浅施主能级有关,这些蓝光峰的出现对于开发出单色蓝光发光器件有重要意义。
- 朱绍平马勇房燕张爱民
- 关键词：射频磁控溅射透射率光致发光氧浓度
