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吉瑶

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇原状
  • 2篇圆片
  • 2篇锗硅
  • 2篇晶圆
  • 2篇晶圆片
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇仿真
  • 2篇SOI晶圆
  • 2篇ALN
  • 1篇淀积
  • 1篇动力学模型
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结材料
  • 1篇速率
  • 1篇气相淀积
  • 1篇力学模型
  • 1篇密度分布
  • 1篇模拟仿真
  • 1篇聚体

机构

  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 5篇吉瑶
  • 4篇戴显英
  • 4篇张鹤鸣
  • 4篇郝跃
  • 3篇郑若川
  • 2篇邓文洪
  • 2篇刘颖
  • 2篇宁静
  • 2篇郭静静
  • 2篇邵晨峰
  • 1篇杨程
  • 1篇查冬
  • 1篇王晓晨
  • 1篇李志
  • 1篇王琳

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓...
戴显英宁静吉瑶邓文洪刘颖郑若川张鹤鸣郝跃
文献传递
一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓...
宁静戴显英吉瑶邓文洪刘颖郑若川张鹤鸣郝跃
SiGe RPCVD流体动力学模拟
基于商用RPCVD设备结构参数，建立了RPCVD反应室结构模型;基于反应室模型，计算了雷诺数Re，确定了RPCVD的流体模型;采用FLUENT软件，模拟了RPCVD反应室的温度场、密度场、速度场，并确定了工艺优化参数。
戴显英竹毅初邵晨峰吉瑶郭静静宁静郝跃张鹤鸣王晓晨李志王琳查冬
关键词：计算流体动力学模拟仿真
基于二聚体理论与扩散理论的Si/_/(1-x/)Ge/_x材料生长动力学模型
随着Si1-xGex材料在高频领域上的广泛应用以及SiGe IC芯片在集成电路领域的重要性不断提升，对于Si1-xGex材料的研究引起了许多研究机构的兴趣。而生长质量良好的Si1-xGex薄膜需要对其复杂的生长过程及其生...
吉瑶
关键词：二聚体
文献传递
弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真被引量：1
2012年
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。
戴显英郑若川郭静静张鹤鸣郝跃邵晨峰吉瑶杨程
关键词：密度分布
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