花婷婷
- 作品数：14 被引量：8H指数：2
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 场板SOI RESURF LDMOS表面势场分布解析模型被引量：2
- 2012年
- 以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。
- 钟大伟郭宇锋花婷婷黄峻魏雪观袁丰周洪敏
- 关键词：场板绝缘体上硅解析模型
- 一种高压LDMOS器件
- 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，...
- 郭宇锋徐光明花婷婷黄示张长春夏晓娟
- 文献传递
- 微旋转结构法测量Al薄膜的残余应力被引量：1
- 2014年
- 薄膜的残余应力是影响MEMS器件工作可靠性和稳定性的重要因素,微旋转结构法能够简单有效地测量薄膜的残余应力.文中采用MEMS工艺制作Al薄膜微旋转结构,根据微旋转结构法对m薄膜的残余应力进行了测量和计算.实验结果表明,溅射Al膜的残余应力为张应力,大小在80～110 GPa之间.对Al薄膜悬梁进行静电驱动,其驱动电压为31 ～34 V,与根据Al膜残余应力的测量值所计算出的驱动电压基本吻合.
- 于映丁可柯花婷婷薄亚明张明张彤
- 关键词：残余应力
- 基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术被引量：1
- 2011年
- 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,其最优结构的击穿电压可达350 V,导通电阻可达1.95Ω·mm^2,同时表现出良好的源漏输出特性。
- 张锐郭宇锋程玮花婷婷
- 关键词：绝缘体上硅反应离子刻蚀
- SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
- 2011年
- 研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律。结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应。
- 程玮郭宇锋张锐左磊召花婷婷
- 关键词：全耗尽SOI部分耗尽SOI射频MOSFET
- 一种高压LDMOS器件
- 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，...
- 郭宇锋徐光明花婷婷黄示张长春夏晓娟
- 文献传递
- 任意纵向变掺杂体硅横向功率器件二维耐压模型
- 横向功率器件是智能功率集成电路的核心器件，而漂移区杂质分布是影响器件击穿性能的重要因素。本文基于二维泊松方程的解，建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向变掺杂体硅横向功率器件二维电场分布模型，进而导出了纵向和横向击穿...
- Guo Yufeng郭宇锋Hua Tingting花婷婷
- 关键词：硅半导体功率器件表面电场击穿电压
- P+P-top层SOID-RESURFLDMOS高压器件新结构
- 了PP+P-top层SOID-RESURFLDMOS高压器件新结构.通过在漂移区中部引入一重掺杂的P+P区,其在PP+P结处产生一个附加的电场峰值,从而优化了漂移区的表面电场分布.并通过二维器件仿真软件MEDICI仿真了...
- 徐光明郭宇锋花婷婷黄示
- 关键词：击穿电压导通电阻电场分布
- 一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS
- 本文提出了一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS结构。新结构与常规RESURF结构的不同之处在于,其漂移区厚度从源到漏逐渐线性增加。借助数值仿真和理论分析,从击穿特性、直流特性和频率特性三方面,对新结构开展深入创新研...
- 徐琴郭宇锋刘陈花婷婷
- 关键词：射频集成电路击穿电压数值仿真
- 文献传递
- 横向集成高压器件纵向掺杂分布优化理论的研究
- 横向双扩散MOS管/(Lateral Double-diffusion MOS，LDMOS/)作为横向高压器件的典型代表，因性能优、成本低和易于集成等优势被广泛应用于各种功率集成电路（Power IntegratedCi...
- 花婷婷
- 关键词：RESURF击穿电压优值解析模型
- 文献传递
