- 基于包混和复合添加工艺的多孔碳化硅陶瓷的制备和性能(英文)被引量：2
- 2011年
- 采用包混工艺合成核-壳结构的硅-树脂先驱体粉体,引入Al2O3-SiO2-Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备多孔碳化硅陶瓷。分析多孔碳化硅陶瓷样品的物相、形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数和抗热震性能。结果表明:复合添加能够在较低的温度下制得多孔碳化硅陶瓷;陶瓷样品的晶粒较小,明显增强了多孔碳化硅陶瓷的导热性能;复合添加提高了碳化硅陶瓷的抗热震性能,添加Al2O3-SiO2-Y2O3并且在1650℃下烧结制备的多孔碳化硅陶瓷经过30次热震后的抗弯强度损失率为6.5%;陶瓷样品的孔壁更加光滑,孔分布更均匀;复合添加对多孔碳化硅陶瓷热膨胀系数的影响较小。
- 赵宏生刘中国杨阳刘小雪张凯红李自强
- 关键词：碳化硅多孔陶瓷复合添加剂
- 一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法
- 本发明公开了属于多孔陶瓷技术领域的一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法。其包括先驱体粉体制备、添加助剂、压力成型、炭化处理及烧结五个步骤，在原有包混工艺的老化步骤调节体系的pH值，制备硅粉表面包覆树脂的硅-树脂核壳结构先驱...
- 刘中国赵宏生杨晖李自强张凯红
- 文献传递
- 一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法
- 本发明属于公开了多孔碳化硅陶瓷制备技术领域的一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法。以已有包混工艺制备的硅-树脂核壳结构先驱体粉体、氧化铝、二氧化硅和氧化钇按照质量比范围为100∶(0.5～10)∶(0.1～5)混合，混...
- 杨阳赵宏生刘中国张凯红
- 文献传递
- 烧结温度对包混/复合添加工艺制备多孔SiC陶瓷性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用包混工艺合成了核壳结构的先驱体粉体,并引入一定量Al2O3、SiO2和Y2O3复合添加剂,通过成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;分析了样品的物相、表面形貌、孔隙率、热导率、热膨胀系数、抗弯强度和抗热震性能。结果表明,在较低的烧结温度下制得了多孔碳化硅陶瓷,在1650℃烧结的多孔碳化硅陶瓷综合性能较好。
- 杨阳赵宏生刘中国张凯红李自强
- 关键词：碳化硅多孔陶瓷烧结温度
- 成型温度对多孔SiC陶瓷性能的影响被引量：6
- 2011年
- 以包混工艺合成了核-壳结构的先驱体粉体,并引入少量Al2O3,SiO2和Y2O3作为复合添加剂,通过模压成型、炭化和烧结工艺制备了多孔碳化硅陶瓷;研究了成型温度对样品的孔隙率、密度、热膨胀系数、抗弯强度和热震性能的影响。结果表明:成型温度对多孔碳化硅陶瓷的孔隙率、密度、抗弯强度及热震性能均产生了显著影响,对热膨胀系数影响较小。在80℃成型的多孔碳化硅陶瓷综合性能较佳,过低的成型温度使包覆在核-壳结构先驱体粉体外层的钡酚醛树脂不能充分流动,使最终多孔碳化硅陶瓷样品结构松散、强度降低;而过高的成型温度使钡酚醛树脂过分流动,对添加剂粉体形成包覆再经过炭化后阻碍了添加粉体的充分接触,未能起到烧结助剂的作用。
- 杨阳赵宏生刘中国张凯红李自强
- 关键词：碳化硅多孔陶瓷成型温度
- 老化pH值对包混/复合添加制备多孔碳化硅陶瓷性能的影响
- 刘中国
- 关键词：交联度残碳率
- 一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法
- 本发明属于公开了多孔碳化硅陶瓷制备技术领域的一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法。以已有包混工艺制备的硅-树脂核壳结构先驱体粉体、氧化铝、二氧化硅和氧化钇按照质量比范围为100∶(0.5～10)∶(0.1～5)混合，混...
- 杨阳赵宏生刘中国张凯红
