邓宁
- 作品数：53 被引量：109H指数：6
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- PECVD多晶金刚石平面薄膜场发射特性被引量：2
- 2003年
- 以n Si为衬底 ,用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜。采用以金刚石薄膜为阴极的二极管结构测试了场发射特性 ,在 6V μm的电场下 ,场发射电流为 5 μA。研究了场发射的有效势垒随外加电场的变化 ,发现在有效势垒随外电场变化的曲线中存在一段平台。从理论上对这种现象进行了研究 ,分析了电子从Si衬底注入金刚石薄膜的方式 ,认为有效势垒的平台是由于缺陷能级在金刚石禁带中分布不均匀所致 ,并由此建立了在注入限制情况下多晶金刚石薄膜的场发射模型。根据模型计算得到有效势垒的理论曲线与实验曲线 ,反映了相同的变化规律。
- 邓宁朱长纯
- 关键词：PECVD
- 硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响被引量：3
- 2002年
- 研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。
- 邓宁黄文韬王燕罗广礼陈培毅李志坚
- 关键词：UHVCVDGE量子点
- 面向大流量应用的硅微阀致动器优化设计被引量：5
- 2015年
- 设计了一种面向大流量应用的硅微阀流控芯片,基于电热耦合理论对芯片中的V型电热致动器进行了优化设计。通过构建温度分布的优化模型,对硅微阀流控芯片中V型致动器进行了变截面设计,并对优化前后的致动器进行了多物理场模拟。结果表明:与恒定截面V型致动器相比,在致动位移相同的情况下,优化后的致动器所需的最高温升降低了7.14%,且温度和应力分布更为均匀,在保障致动性能的同时提高了热平衡稳定性和结构稳定性。
- 李勇俊张胜昌段飞邓宁
- 关键词：电热耦合
- 以Si_3N_4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究被引量：2
- 2006年
- 设计并制作了以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器.采用气态源分子束外延(GSMBE)方法在Si(100)衬底上生长了20层的自组织Ge量子点.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.为了提高探测器的响应度,采用Si3N4作为增透膜以增强探测器对入射光的吸收.用传输矩阵方法模拟的结果显示,185上nm厚的Si3N4增透膜可以使探测器在1310nm波长处具有较高的吸收率.根据此结果,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在探测器表面淀积了185nm的Si3N4.在室温下,测得量子点探测器在1.31μm处的响应度为8.5mA/W,跟没有增透膜的器件相比,响应度提高了将近30倍.
- 魏榕山邓宁王民生张爽陈培毅刘理天张璟
- 关键词：增透膜气态源分子束外延量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度
- 电流感应磁化翻转效应的改进的系综模型被引量：1
- 2009年
- 运用宏观双通道扩散模型研究了赝自旋阀结构中的自旋相关输运过程,考虑到磁化强度矢量的横向分量的影响,建立了自由层磁化强度矢量的动力学方程,利用自旋流连续和化学势差连续作为边界条件.理论计算求解了电流感应磁化翻转效应中的临界电流,解释了铁磁层和非磁层电导率匹配问题和纵向场对电流感应磁化翻转效应中临界电流的影响.
- 张磊胡九宁任敏董浩邓宁陈培毅
- 纳米尺寸自旋阀中电流驱动的自旋波发射
- 2008年
- 提出了在纳米赝自旋阀中的电流感应自旋传输矩的磁动力学描述,成功地解释了在磁纳米多层结构中的电流驱动微波发射和电流感应磁化翻转现象。自旋流极化由在电导匹配时的自旋流和化学势连续性边界条件决定。自旋矩的纵向和横向分量在自旋阀的电流驱动微波发射和电流感应磁化翻转现象中扮演了不同的角色:纵向自旋矩分量决定了电流感应磁化翻转(CIMS)效应,而横向自旋矩是自旋波发射(SWE)效应所不可缺少的。根据这一理论,由LLG方程自然得到自旋波发射的双模,分别为横向自旋矩引发的X和Y方向的振动,并引起磁多层电阻以频率2w或w(进动频率)随时间变化。磁场和自旋流共同决定了自旋波发射的频率和功率,这一理论预言了某种特殊的磁多层结构,如磁层相互垂直的结构,将具有大得多的微波发射效率,这一结论已经被实验所证实。
- 胡九宁陈培毅张磊任敏董浩邓宁
- 阻变存储器外围电路关键技术研究进展
- 2013年
- 阻变存储器(RRAM)是一种前景非常好的未来通用存储技术,也是当前国际学术界和工业界研究的热点。主要介绍了存储器外围电路的电路设计,并介绍了阻性存储器外围电路,包括验证电路、写电路、参考模块方案和形式、限流等关键技术的原理,重点讨论了提升复位操作速度,改善高阻值离散性,参考方案的设计和参考单元的组成,用限流实现低功耗操作的方法及其发展趋势。
- 焦斌邓宁陈培毅
- 关键词：复位读操作限流
- 三维存储器的存储单元形状对其性能的影响
- 2015年
- 简要介绍了三维存储器出现的背景和几种得到广泛关注的三维存储器;建立模型分析了位成本缩减(BiCS)、垂直堆叠存储阵列(VSAT)和垂直栅型与非闪存阵列(VG-NAND)三种代表性的三维存储器的存储单元的形状对其性能的影响,从理论分析的角度比较了三种存储单元结构对其存储性能的影响;采用Sentaurus软件对三种存储单元的性能进行仿真,从编程/擦除时间、存储窗口和保持性能三个方面比较了三种存储单元结构的存储性能。理论分析结果和仿真结果都一致地表明BiCS结构的圆柱孔形存储单元比其他两种存储单元更有优势。
- 丰伟邓宁
- 关键词：存储器单元
- UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性
- 2004年
- 采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降。
- 黄文韬陈长春刘志农邓宁刘志弘陈培毅钱佩信
- 关键词：UHV/CVD快速热退火
- 一种新型Spindt真空三级管磁敏传感器的研究
- 提出了一种机关报型结构的真空微电子磁敏传感器。该传感器的阳极分为五个部分，可以检测出电子束流在磁场作用下的偏转，利用坐标变换对磁场的三维分量分离求解，最终确定器件所在位置的磁场。解决了以往真空微电子磁敏传感器不能检测任意...
- 邓宁朱长纯李俊峰
- 关键词：磁敏传感器
