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王玉乾

作品数:10 被引量:27H指数:3
供职机构:西南科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇气相沉积
  • 6篇金刚石薄膜
  • 6篇化学气相
  • 6篇化学气相沉积
  • 4篇金刚石
  • 4篇二次电子
  • 4篇刚石
  • 3篇微波等离子体
  • 3篇纳米金刚石薄...
  • 2篇纳米
  • 2篇发光
  • 2篇负电子亲和势
  • 1篇电子发射
  • 1篇形貌
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化铝
  • 1篇阴极
  • 1篇示踪
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积法

机构

  • 10篇西南科技大学
  • 3篇中国工程物理...

作者

  • 10篇王玉乾
  • 8篇王兵
  • 3篇孙文周
  • 3篇孟祥钦
  • 2篇梅军
  • 2篇甘孔银
  • 2篇王延平
  • 1篇李凯
  • 1篇袁庆
  • 1篇郭娟
  • 1篇燕丽娜
  • 1篇何婷

传媒

  • 2篇功能材料
  • 2篇材料导报
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇中国稀土学报

年份

  • 6篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
发光示踪材料的空间环境稳定性研究
2007年
通过简单模拟高真空、太阳紫外辐射、冷热交变等空间环境条件,对拟用于飞行器示踪的发光材料SrAl2O4:Eu2+,Dy3+、ZnO:Eu3+,Li1+以及SiO2:Eu3+,Li1+进行了空间环境稳定性试验研究,分别检测了3种材料在高真空条件下的耐强紫外辐射、抗老化、抗热震性能。结果表明,长余辉发光材料SrAl2O4:Eu2+,Dy3+经各试验后发光强度均有一定程度的降低,但由于其自身发光强度很高,下降幅度不影响其在“背日面”的示踪功用;而ZnO:Eu3+,Li1+较SiO2:Eu3+,Li1+的空间环境稳定性比较优越,是适合于“向日面”示踪的发光材料。
孙文周王兵王玉乾
关键词:发光材料空间环境紫外辐射抗老化热震
氧化铝基体表面预处理对金刚石薄膜生长的影响被引量:1
2009年
采用微波等离子体化学气相沉积方法,在经不同预处理的氧化铝衬底上沉积金刚石薄膜。用X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)对所得薄膜的成分、物相纯度和表面形貌进行表征,比较不同的预处理方式对金刚石薄膜生长的影响。结果表明,基体表面经过熔融碱腐蚀后形成薄膜的膜基结合良好且膜材质量最佳,但表面平整度较低;而基体只经金刚石微粉乙醇悬浊液超声处理则在沉积时金刚石容易成膜,且结构要更为致密;在经过酸腐蚀的基体上沉积金刚石薄膜时,容易在薄膜与基体之间先形成过渡层,而后才进行金刚石薄膜的沉积。所得结果表明熔融碱腐蚀处理是获得电学应用氧化铝基金刚石薄膜复合材料的最适宜的基体表面预处理。
孟祥钦王兵王玉乾甘孔银李凯王延平何婷
关键词:氧化铝金刚石薄膜MPCVD
用于二次电子发射阴极的金刚石薄膜的制备及性能研究
金刚石薄膜由于可具有特殊的负电子亲和势表面和优异的综合性能,作为冷阴极发射材料在高频、高温、大功率电子器件及真空电子器件中受到广泛关注。选用合适的制备工艺条件、恰当的表面处理方法得到的掺杂金刚石薄膜,具有负的表面电子亲和...
王玉乾
关键词:金刚石薄膜化学气相沉积负电子亲和势
文献传递
掺硼金刚石薄膜二次电子发射特性的研究被引量:1
2009年
掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等方面都有着巨大的应用价值,引起人们的注意。从二次电子发射的机理以及影响二次电子发射系数的因素等方面,对如何利用MPCVD法制备出高二次电子发射系数的掺硼金刚石薄膜进行了综述。论述表明通过合适的工艺条件,对薄膜表面进行适当的处理,是可以制备出高二次电子发射系数的阴极用金刚石薄膜的。
王玉乾王兵甘孔银李凯潘清黎明王延平
关键词:二次电子发射化学气相沉积
化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜被引量:3
2009年
采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜。表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm,表面粗糙度约15.72nm,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料。
王玉乾王兵孟祥钦甘孔银
关键词:微波等离子体纳米金刚石薄膜
用于二次电子发射阴极的纳米金刚石膜被引量:8
2008年
为获得导电性和二次电子发射性能均好的金刚石阴极材料,分别以CH4/Ar/H2、CH4/N2及CH4/N2/H2混合气体作为反应气源,用微波等离子化学气相沉积(MWPCVD)法制备出不同组成结构特点的纳米金刚石薄膜。XRD和Raman检测表明3种气源条件下得到的膜材均为金刚石多晶膜,但用CH4/N2反应源沉积的膜材中非金刚石相成分明显更多;AFM分析证实所有膜层的平均晶粒尺寸均在100nm以下,属纳米晶金刚石膜。用自行设计的二次电子发射系数测量装置对比检测所得膜层的二次电子发射特性,结果表明各金刚石膜均在初级入射电子能量达约1keV时,有最高的二次发射系数(δmax);并且以CH4/Ar/H2反应源制备的金刚石相纯度最高的膜材的δmax最大,达到17左右,是适用于二次电子发射阴极的潜在材料。
王兵甘孔银梅军李凯丰杰王玉乾
关键词:金刚石纳米膜二次电子阴极
H_3BO_3对微波等离子体法合成SrAl_2O_4∶Eu^(2+),Dy^(3+)的影响被引量:9
2008年
采用微波等离子体法合成SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,探讨了H3BO3的加入对材料的光谱性能、余辉性能、相组成结构、微观形貌的影响。结果表明,适量的添加助溶剂H3BO3,有利于增强材料的发光强度,延长余辉时间,但过量的添加反而会导致发光性能下降。本试验确定硼酸的最佳添加量为10%。综合检测分析结果推断,硼酸加入后在高温下大部分形成液相,并通过液相传质促进晶体生长,提高基质的结晶程度,同时促进稀土离子Eu2+,Dy3+进入晶格并使其分布更均匀;而少部分则会进入晶格发生B取代Al,引起晶体场畸变,从而提高了材料的发光强度和长余辉特性。
孙文周王兵王玉乾
关键词:长余辉发光材料微波等离子体稀土
掺硼对超纳米金刚石薄膜的影响被引量:1
2009年
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,利用氩气、甲烷、二氧化碳混合气体,制备出平均晶粒尺寸在7.480 nm左右、表面粗糙度在15.72 nm左右的高质量的超纳米金刚石薄膜;在此工艺基础上以硼烷作为掺杂气体,合成掺硼的金刚石薄膜。表征结果显示在一定的浓度范围内随着硼烷气体的通入,金刚石薄膜的晶粒尺寸及表面粗糙度增大、结晶性变好,不再具有超纳米金刚石膜的显微结构和表面形态;同时膜材的物相组成也发生改变,金刚石组份逐渐增多,并且膜层内出现了更明显的应力以及更好的导电性能。
王玉乾王兵孟祥钦甘孔银
关键词:无机非金属材料掺硼化学气相沉积
掺氮对纳米金刚石薄膜形貌及组成结构的影响被引量:4
2008年
采用微波等离子体化学气相沉积技术,通过在甲烷和氢气的混合反应气源中通入不同浓度的氮气,合成了氮掺杂的纳米金刚石薄膜。表征结果表明随着氮气浓度的增加,所得到的金刚石薄膜的材料特征发生了明显的改变:膜层晶粒结构由从未见过的大尺寸片状向团簇状再向微颗粒状转变,并且薄膜的表面粗糙度相应变小;同时薄膜中非金刚石组份逐渐增多,膜材的物相纯度下降。氮气浓度除决定了纳米金刚石薄膜中N的掺杂度外,还会对膜材的物相组成、形貌及结构产生巨大的影响。
王玉乾王兵甘孔银梅军孙文周袁庆燕丽娜郭娟
关键词:纳米金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积
用于二次电子发射阴极材料的金刚石薄膜的制备及性能研究
金刚石薄膜由于可具有特殊的负电子亲和势表面和优异的综合性能,作为冷阴极发射材料在高频、高温、大功率电子器件及真空电子器件中受到广泛关注。选用合适的制备工艺条件、恰当的表面处理方法得到的掺杂金刚石薄膜,具有负的表面电子亲和...
王玉乾
关键词:金刚石薄膜化学气相沉积负电子亲和势
文献传递
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