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王家鑫

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：郧阳师范高等专科学校物理系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇退火
  • 1篇集成电路
  • 1篇溅射
  • 1篇VO
  • 1篇VO2薄膜
  • 1篇XPS
  • 1篇XPS分析
  • 1篇CMOS集成
  • 1篇CMOS集成...
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇郧阳师范高等...

作者

  • 2篇王家鑫
  • 1篇王安福

传媒

  • 2篇郧阳师范高等...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
热红外探测VO_2薄膜的制备与XPS分析
2009年
采用射频磁控溅射沉积方法,结合氩气氛退火工艺制备了热红外探测VO2薄膜,通过优化工艺,制备出化学计量比接近理论值、高质量的VO2薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的相结构、组分进行了分析.测试结果显示,V205薄膜在退火温度450℃、退火2h条件下,制备得到的薄膜成分主要是VO2相.
王家鑫
关键词：磁控溅射VO2薄膜XPS
一种新型亚阈值MOSFET电流模基准电路
2008年
提出了一种结构新颖的亚阈值MOSFET电流模基准电路，利用反馈技术产生偏置于电流ICTAT的电流IPTAT,输出基准电压只是一个自变量（ICTAT）的函数，降低了其温漂系数．对电路进行了仿真，获得了较好的性能指标，这种电路结构在[-20℃～100℃]温度范围内对输出基准电压进行很好的高阶温度曲率补偿，能够获得很低的温漂系数（TC｜TT约6．25ppm／℃），最小工作电压不大于1V．
王家鑫王安福
关键词：CMOS集成电路
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共1页<1>
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